[发明专利]铟锡氧化物薄膜的回收方法以及基板的回收方法有效

专利信息
申请号: 201010513266.8 申请日: 2010-10-12
公开(公告)号: CN102031375A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 郑钧文;陈豊涵;赖英杰 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: C22B7/00 分类号: C22B7/00;C22B58/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 薄膜 回收 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,包括:

提供一待回收物,该待回收物具有一铟锡氧化物薄膜;

使一碱液与该铟锡氧化物薄膜接触,以使该铟锡氧化物薄膜自该待回收物剥离并混合于该碱液中,其中该碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠;以及

收集剥离的该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物,并自该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。

2.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该待回收物为一彩色滤光基板,该铟锡氧化物薄膜为该彩色滤光基板上的一共通电极。

3.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该待回收物为一主动元件阵列基板,该铟锡氧化物薄膜为该主动元件阵列基板上的多个像素电极。

4.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该碱液的成分包括氢氧化钾水溶液、醚醇类溶剂、醇胺类溶剂、醇类溶剂以及接口活性剂。

5.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该碱液的温度介于20℃至75℃之间。

6.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该碱液与该铟锡氧化物薄膜接触的时间介于20秒至300秒之间。

7.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,在该碱液与该铟锡氧化物薄膜接触之后,更包括使一酸液与该铟锡氧化物薄膜接触,以自该待回收物上移除残留的该铟锡氧化物薄膜。

8.根据权利要求7所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,残留的该铟锡氧化物薄膜与该酸液反应并溶解于该酸液中。

9.根据权利要求7所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该酸液的成分包括盐铁系溶液、王水或是硝酸系溶液。

10.一种基板的回收方法,其特征在于,包括:

提供一元件基板,该元件基板包括一基板、多个元件薄膜以及一铟锡氧化物薄膜,该铟锡氧化物薄膜覆盖于该基板与该些元件薄膜上;

使一碱液与该铟锡氧化物薄膜接触,以使该铟锡氧化物薄膜自该些元件薄膜剥离并混合于该碱液中,其中该碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠;

使一酸液与该铟锡氧化物薄膜接触,以自该基板上移除残留的该铟锡氧化物薄膜;以及

使用该碱液移除该些元件薄膜。

11.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该碱液的成分包括氢氧化钾水溶液、醚醇类溶剂、醇胺类溶剂、醇类溶剂以及接口活性剂。

12.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该碱液的温度介于20℃至75℃之间。

13.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该碱液与该铟锡氧化物薄膜接触的时间介于20秒至300秒之间。

14.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,残留的该铟锡氧化物薄膜与该酸液反应并溶解于该酸液中。

15.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该酸液的成分包括盐铁系溶液、王水或是硝酸系溶液。

16.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该些元件薄膜包含多个彩色滤光薄膜或多个主动元件。

17.根据权利要求16所述的基板的回收方法,其特征在于,该铟锡氧化物薄膜自该些彩色滤光薄膜剥离的同时,部分的该些彩色滤光薄膜与该碱液反应而溶解于该碱液中。

18.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,更包括收集剥离的该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物,并自该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。

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