[发明专利]铟锡氧化物薄膜的回收方法以及基板的回收方法有效
申请号: | 201010513266.8 | 申请日: | 2010-10-12 |
公开(公告)号: | CN102031375A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 郑钧文;陈豊涵;赖英杰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | C22B7/00 | 分类号: | C22B7/00;C22B58/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 薄膜 回收 方法 以及 | ||
1.一种铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,包括:
提供一待回收物,该待回收物具有一铟锡氧化物薄膜;
使一碱液与该铟锡氧化物薄膜接触,以使该铟锡氧化物薄膜自该待回收物剥离并混合于该碱液中,其中该碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠;以及
收集剥离的该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物,并自该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。
2.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该待回收物为一彩色滤光基板,该铟锡氧化物薄膜为该彩色滤光基板上的一共通电极。
3.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该待回收物为一主动元件阵列基板,该铟锡氧化物薄膜为该主动元件阵列基板上的多个像素电极。
4.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该碱液的成分包括氢氧化钾水溶液、醚醇类溶剂、醇胺类溶剂、醇类溶剂以及接口活性剂。
5.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该碱液的温度介于20℃至75℃之间。
6.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该碱液与该铟锡氧化物薄膜接触的时间介于20秒至300秒之间。
7.根据权利要求1所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,在该碱液与该铟锡氧化物薄膜接触之后,更包括使一酸液与该铟锡氧化物薄膜接触,以自该待回收物上移除残留的该铟锡氧化物薄膜。
8.根据权利要求7所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,残留的该铟锡氧化物薄膜与该酸液反应并溶解于该酸液中。
9.根据权利要求7所述的铟锡氧化物薄膜的回收方法,其特征在于,该酸液的成分包括盐铁系溶液、王水或是硝酸系溶液。
10.一种基板的回收方法,其特征在于,包括:
提供一元件基板,该元件基板包括一基板、多个元件薄膜以及一铟锡氧化物薄膜,该铟锡氧化物薄膜覆盖于该基板与该些元件薄膜上;
使一碱液与该铟锡氧化物薄膜接触,以使该铟锡氧化物薄膜自该些元件薄膜剥离并混合于该碱液中,其中该碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠;
使一酸液与该铟锡氧化物薄膜接触,以自该基板上移除残留的该铟锡氧化物薄膜;以及
使用该碱液移除该些元件薄膜。
11.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该碱液的成分包括氢氧化钾水溶液、醚醇类溶剂、醇胺类溶剂、醇类溶剂以及接口活性剂。
12.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该碱液的温度介于20℃至75℃之间。
13.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该碱液与该铟锡氧化物薄膜接触的时间介于20秒至300秒之间。
14.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,残留的该铟锡氧化物薄膜与该酸液反应并溶解于该酸液中。
15.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该酸液的成分包括盐铁系溶液、王水或是硝酸系溶液。
16.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,该些元件薄膜包含多个彩色滤光薄膜或多个主动元件。
17.根据权利要求16所述的基板的回收方法,其特征在于,该铟锡氧化物薄膜自该些彩色滤光薄膜剥离的同时,部分的该些彩色滤光薄膜与该碱液反应而溶解于该碱液中。
18.根据权利要求10所述的基板的回收方法,其特征在于,更包括收集剥离的该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物,并自该铟锡氧化物薄膜与该碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。
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