[发明专利]铟锡氧化物薄膜的回收方法以及基板的回收方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种铟(Indium)的回收方法，且尤其涉及一种铟锡氧化物薄膜(ITO thin film)的回收方法。

背景技术

由于平面显示器具有重量轻以及体积小等传统阴极射线管(cathode ray tube，CRT)所制造的显示器无法达到的优点，因此平面显示器已成为近年来显示器的主流。一般常见的平面显示器包括液晶显示器、有机电激发光显示器、等离子显示器、电泳显示器等，这些显示器多半采用铟锡氧化物作为其像素电极的材质。而在现行平面显示器的生产过程中，铟锡氧化物薄膜的蚀刻工艺多半是使用草酸(Oxalic acid)来进行。详言之，尚未经过回火工艺(annealing process)的铟锡氧化物薄膜其结构尚未致密化，故能够被草酸所蚀刻，而尚未经过回火工艺的铟锡氧化物薄膜会与草酸反应而产生草酸铟离子(In(C₂O₄)₂^-)，且草酸铟离子(In(C₂O₄)₂^-)可通过树脂塔来进行铟的回收。

然而，草酸仅能用以蚀刻尚未经过回火工艺的铟锡氧化物薄膜，无法用以蚀刻结构经过致密化(经过回火工艺)的铟锡氧化物薄膜。若要蚀刻经过回火工艺之铟锡氧化物薄膜，业者通常会使用盐铁系(FeCl₃+HCl)蚀刻剂、王水(HNO₃+HCl)或是硝酸系蚀刻剂来进行，但由于前述用以回收铟的树脂塔并不适用于含有硝酸(HNO₃)成份的溶液，且目前尚无利用树脂塔来处理盐铁系溶液的技术存在，所以目前经过回火工艺的铟锡氧化物薄膜在被盐铁系(FeCl₃+HCl)蚀刻剂、王水(HNO₃+HCl)或是硝酸系蚀刻剂蚀刻后会溶解于蚀刻剂中，而溶解于上述蚀刻剂中的铟元素目前无法回收。

发明内容

本发明提供一种铟锡氧化物薄膜的回收方法，以有效地回收铟锡氧化物薄膜中的铟。

本发明另提供一种基板的回收方法，以移除基板上的薄膜。

本发明提供一种铟锡氧化物薄膜的回收方法。首先，提供一待回收物，此待回收物具有一铟锡氧化物薄膜，接着，使一碱液与铟锡氧化物薄膜接触，以使铟锡氧化物薄膜自待回收物剥离并混合于碱液中，其中碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠。之后，收集剥离的铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物，并自铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。

在本发明的一实施例中，前述的待回收物为一彩色滤光基板，而铟锡氧化物薄膜为彩色滤光基板上的一共通电极。

在本发明的一实施例中，前述的待回收物为一主动组件阵列基板，而铟锡氧化物薄膜为主动组件阵列基板上的多个像素电极。

在本发明的一实施例中，前述的碱液的成分包括氢氧化钾水溶液、醚醇类溶剂、醇胺类溶剂、醇类溶剂以及接口活性剂。

在本发明的一实施例中，前述的碱液的温度介于20℃至75℃之间。

在本发明的一实施例中，前述的碱液与铟锡氧化物薄膜接触的时间介于20秒至300秒之间。

在本发明的一实施例中，前述的碱液与铟锡氧化物薄膜接触之后，可进一步使一酸液与铟锡氧化物薄膜接触，以自待回收物上移除残留的铟锡氧化物薄膜。

在本发明的一实施例中，前述的残留的铟锡氧化物薄膜与酸液反应并溶解于酸液中。

在本发明的一实施例中，前述的酸液的成分包括盐铁系(FeCl₃+HCl)溶液、王水(HNO₃+HCl)或是硝酸系溶液。

本发明另提供一种基板的回收方法。首先，提供一元件基板，此元件基板包括一基板、多个元件薄膜以及一铟锡氧化物薄膜，且此铟锡氧化物薄膜覆盖于基板与元件薄膜上。接着，使一碱液与铟锡氧化物薄膜接触，以使铟锡氧化物薄膜自元件薄膜剥离并混合于碱液中，其中碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠。接着，使一酸液与铟锡氧化物薄膜接触，以自基板上移除残留的铟锡氧化物薄膜。之后，使用碱液移除前述的元件薄膜。

在本发明的一实施例中，前述的元件薄膜包含多个彩色滤光薄膜或多个主动元件。

在本发明的一实施例中，前述的铟锡氧化物薄膜自彩色滤光薄膜剥离的同时，部分的彩色滤光薄膜与碱液反应而溶解于该碱液中。

在本发明的一实施例中，前述的基板的回收方法可进一步包括收集剥离的铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物，并自铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。