[发明专利]半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体封装体，该半导体封装体包括用于密封半导体芯片的第一密封体、从第一密封体露出的多个引线、与引线整体地形成的堤坝杆、以及在由第一密封体、引线和堤坝杆围绕的区域中形成的第二密封体；

(b)通过使用切割器去除堤坝杆的部分和第二密封体的部分；

(c)在步骤(b)之后，用激光束照射第二密封体的其它部分以便去除第二密封体的其它部分；

(d)在步骤(c)之后，清洗每个引线的表面；和

(e)在步骤(d)之后，在每个引线的表面上形成镀敷膜。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(a)中制备的半导体封装体的引线的每个表面之上，形成第三密封体，该第三密封体的体积小于第一密封体和第二密封体中的每个的体积；和

其中，在步骤(d)之前，用如下的激光束照射第三密封体：该激光束的输出值被设置为比在步骤(c)中使用的用于去除第三密封体的激光束的输出值低。

3.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体封装体，该半导体封装体包括用于密封半导体芯片的第一密封体、从第一密封体露出的多个引线、与引线整体地形成的堤坝杆、以及在由第一密封体、引线和堤坝杆围绕的区域中形成的第二密封体；

(b)通过使用切割器去除堤坝杆的部分和第二密封体的部分；和

(c)在步骤(b)之后，用激光束照射第二密封体的其它部分以便去除第二密封体的其它部分。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，

其中要在步骤(b)中被去除的第二密封体的部分的量大于要在步骤(c)中被去除的第二密封体的其它部分的量。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，

其中要在步骤(b)中使用的切割器的宽度小于引线之间的距离。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(d)中将其水压被设置为50到150kgf/cm²的清洗用水注射到引线的表面。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(c)中以相对于第二密封体的表面的第一角度照射激光束。

8.根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，

其中引线的每个表面具有上表面、在上表面的相对侧上的下表面以及在上表面与下表面之间的侧表面；和

其中侧表面的平坦程度小于上表面或下表面的平坦程度。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在每个引线的侧表面相对于激光束的照射方向倾斜时执行步骤(c)。

10.根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(c)中通过聚光透镜照射激光束。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体封装体，该半导体封装体包括用于密封半导体芯片的第一密封体、从第一密封体露出的多个引线、与引线整体地形成的堤坝杆、以及在由第一密封体、引线和堤坝杆围绕的区域中形成的第二密封体；

(b)通过使用切割器去除堤坝杆的部分和第二密封体的部分；

(c)在步骤(b)之后，用激光束照射第二密封体的其它部分以便去除第二密封体的其它部分；和

(d)在步骤(c)之后，使每个引线弯曲，

其中在步骤(b)中使用的切割器的宽度小于引线中的相邻引线之间的距离；

其中在步骤(b)中在引线的每个表面之上形成凸起部；和

其中第二密封体的其它部分在由第一密封体、引线和凸起部围绕的区域中形成。

12.根据权利要求11所述的用于制造半导体器件的方法，

其中要在步骤(b)中被去除的第二密封体的部分的量大于要在步骤(c)中被去除的第二密封体的其它部分的量。

13.根据权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(d)中使每个引线以凸起部作为弯曲点来弯曲。