[发明专利]半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

2009年10月22日提交的日本专利申请No.2009-243258的公开内容(包括说明书、附图和摘要)全部通过参考被并入于此。

技术领域

本发明涉及可有效地应用到在制造半导体器件(或半导体集成电路器件)的方法中的树脂去除技术的技术。

背景技术

日本特开平4(1992)-157761号未经审查的专利公开(专利文献1)公开了一种传统的联结杆(tie bar)切割方法，其中使用设置在压制金属铸模(metal mold)内的冲头(punch)和精确安装在其中的模具(die)，实现了同时刺穿从铸模树脂中露出的引线框2的引线、在引线之间产生的树脂堤坝(dam)部分和联结杆部分。此外，日本特开平4(1992)-157761号未经审查的专利公开公开了一种方法，其中用激光束照射树脂堤坝部分，用由此导致的热量熔化堤坝部分的树脂以便将其去除，然后使用冲头切割并且去除联结杆部分。

日本特开平7(1995)-142664号未经审查的专利公开(专利文献2)公开了如下的技术，作为用于制造树脂密封的半导体器件的传统方法的一个实例。即，根据上述技术，使用具有联结杆的引线框。由金属铸模切割和去除堤坝树脂，该堤坝树脂被形成在从树脂密封部分布置到联结杆的外部引线之间并且与外部引线几乎一样厚。此外，通过独立使用喷射与高压空气和高压水一起的树脂或玻璃的粉末的研磨(honing)方法以及在电解脱脂之后喷射高压水的方法等，从而切割和去除堤坝树脂。更进一步，通过将上述方法与使用金属铸模的去除结合来切割和去除堤坝树脂4。更进一步，日本特开平7(1995)-142664号未经审查的专利公开公开了一种技术，其中在堤坝树脂被切割和去除之后，将外部引线(从密封体中露出的引线)切割和成形为预定形状。

[专利文献1]日本特开平4(1992)-157761号未经审查的专利公开

[专利文献2]日本特开平7(1995)-142664号未经审查的专利公开

发明内容

根据使用引线框的半导体器件(或半导体集成电路器件)的制造方法，在形成其中密封了安装的半导体芯片的密封体的步骤(塑造(mold)处理)中，为了防止供应的树脂泄漏到引线框的器件区域之外，如专利文献1和2所示，通常使用其中形成堤坝杆(联结杆，堤坝部分)的引线框。

因此，在塑造步骤之后，如专利文献1的图1(a)和3(a)(或专利文献2的图1(a)和2(a))所示，不仅形成用于密封半导体芯片的密封体(用于密封芯片的树脂)而且在位于密封体周围并且由从密封体的侧表面露出(突出)的引线和堤坝杆围绕的区域中形成密封体(堤坝中的树脂，引线之间的树脂)。

当形成堤坝中的树脂时，在后续的镀敷步骤中，用于包覆(sheath)镀敷的镀敷膜(镀敷层)不被形成在从密封体露出的引线的一部分(堤坝中的树脂附着的部分)之上。

研究了用于去除堤坝中的树脂的方法之后，本发明人发现由专利文献1和2的方法导致的以下问题。

具体地说，首先，当仅仅由切割器(冲头)切割堤坝中的树脂时，为了让切割器可以不跟从密封体露出的引线接触，使用其宽度小于引线之间的宽度(间距)的切割器。

因此，如专利文献1的图3(c)所示，堤坝中的树脂的一部分(残留树脂，残留物)余留在从密封体露出(突出)的引线的侧表面之上。

因此，为了去除残留树脂，本发明应用与专利文献2中一样的清洗步骤(研磨方法，在电解脱脂之后喷射高压水的方法，等等)。

然而，残留树脂与从密封体露出的引线和已经被切割的联结杆的一部分接触。因此，它与引线的粘附力较强，并且它不能容易地被去除。另外，如果提高清洗步骤中的压强，则可能由于水压而使引线变形。因此，已经发现通过仅仅与清洗步骤的组合难以去除残留树脂。

因此，如专利文献1和2的实施例所示，本发明研究了使用激光束去除堤坝中的树脂(或残留树脂)。

结果，变得可以在不使引线变形的情况下去除堤坝中的树脂(或残留树脂)。然而，最近出现以下问题。

即，据发现当使用激光(激光束)去除堤坝中的树脂时，树脂变为异物(foreign matter)，分散到周围，并且附着于从密封体露出的引线的表面。另外，该异物是象烟灰(soot)一样的细微的物体。因此，即使将用于去除堤坝中的树脂的激光束照射到引线的表面，也难以去除该异物。此外，存在它可能会在引线的表面之上燃烧的可能性。