[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

第二导电半导体层；以及

在所述第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，

其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且所述第二有源层发射具有比所述第一波长带短的第二波长带的光。

2.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第二有源层形成在所述第一有源层上，或者所述第一有源层形成在所述第二有源层上。

3.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第一有源层包括多个第一有源层，所述第二有源层包括多个第二有源层，并且所述第一和第二有源层相互交替堆叠。

4.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第二波长带处于380nm至小于440nm的范围内。

5.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第一有源层包括多个第一阱层和与所述第一阱层交替地排列的第一阻挡层，并且所述第二有源层包括多个第二阱层和与所述第二阱层交替地排列的第二阻挡层。

6.如权利要求5中所述的发光器件，其中每个第一阻挡层的厚度与每个第一阱层的厚度的比率大约从0.2至60。

7.如权利要求5中所述的发光器件，其中每个第二阻挡层的厚度与每个第二阱层的厚度的比率大约从0.2至60。

8.如权利要求5中所述的发光器件，其中所述第二阱层包括In_x1Ga_1-x1N(0≤x1≤1)，并且所述第二阻挡层包括In_x2Al_yGa_1-x2-yN(0≤x2≤1，0≤y≤1，0≤x2+y≤1)，其中x1和x2具有关系x2＜x1。

9.如权利要求5中所述的发光器件，其中所述第一阱层包括In_x1Ga_1-xN(0≤x1≤1)，并且所述第一阻挡层包括In_yGa_1-yN(0≤y≤1)，其中x和y具有关系y＜x。

10.如权利要求5中所述的发光器件，其中所述第二阱层包括In_x1Ga_1-x1N(0≤x1≤1)，并且所述第一阱层包括In_xGa_1-xN(0≤x≤1)，其中x1和x具有关系x1＜x。

11.如权利要求1中所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层下面的衬底。

12.如权利要求11中所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层和所述衬底之间的缓冲层或者未掺杂的半导体层中的至少一个。

13.如权利要求1中所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层下面的导电支撑构件。

14.一种发光器件封装，包括：

发光器件，所述发光器件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且所述第二有源层发射具有比所述第一波长带短的第二波长带的光；

封装主体，所述封装主体用于在其上安装所述发光器件；以及

电极层，所述电极层被电气地连接到所述发光器件。

15.一种照明系统，包括：

发光模块，所述发光模块包括衬底和被安装在所述衬底上的发光器件，

其中所述发光器件包括：

第一导电半导体层；

第二导电半导体层；以及

在所述第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，并且

其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且所述第二有源层发射具有比所述第一波长带短的第二波长带的光。