[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统无效
申请号: | 201010515795.1 | 申请日: | 2010-10-19 |
公开(公告)号: | CN102074626A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 孙孝根 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/00;H01L33/48 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
技术领域
本发明涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。最近,LED的亮度增加,使得LED已经被采用为用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外,LED能够通过采用磷光体或者组合具有各种颜色的LED来呈现具有优秀的光效率的白色。
从LED发射的光的波长取决于用于制造LED的半导体材料。这是因为取决于LED的有源层的能带,即,取决于表示价带和导带的电子之间的能量差的半导体材料的带隙来确定发射的光的波长。
同时,LED的亮度根据诸如有源层的结构、用于将光提取到外部的光提取结构、芯片尺寸、以及包围LED的成型构件的类型的各种条件而被改变。如果改进有源层的结构,那么能够提高LED的内量子效率,从而能够提高LED的亮度。
发明内容
实施例提供能够提高亮度的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
实施例提供能够发射具有各种波长带的光的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
根据实施例的发光器件包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;以及在第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层,其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光,并且第二有源层发射具有比第一波长带短的第二波长带的光。
制造发光器件的方法包括下述步骤,形成第一导电半导体层;在第一导电半导体层上形成包括第一和第二有源层的有源层;以及在有源层上形成第二导电半导体层;其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光,并且第二有源层发射具有比第一波长带短的第二波长带的光。
根据实施例的发光器件封装包括:发光器件;封装主体,该封装主体用于在其上安装发光器件;以及电极层,该电极层被电气地连接到发光器件。该发光器件包括:第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层,其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光,并且第二有源层发射具有比第一波长带短的第二波长带的光。
根据实施例的照明系统包括:发光模块,该发光模块包括衬底和被安装在衬底上的发光器件,其中该发光器件包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;以及在第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层,并且其中第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光,并且第二有源层发射具有比第一波长带短的第二波长带的光。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图;
图2A是示出图1中所示的发光器件的有源层的示例的截面图;
图2B是示出图1中所示的发光器件的有源层的另一示例的截面图:
图3是示出图1中所示的发光器件的有源层的能带的视图;
图4是示出根据图1中所示的发光器件的有源层的波长的亮度的图;
图5是示出硅酸盐基磷光体的发光效率的图;
图6是示出根据第二实施例的发光器件的截面图;
图7是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图;
图8是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图;以及
图9是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明系统的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中,应该理解的是,当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时,它可以“直接”或“间接”在另一基板上、层(或膜)、区域、垫或图案上,或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
为了方便或清楚起见,附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外,元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中,将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图。
参考图1,发光器件100包括衬底110、缓冲层115、未掺杂的半导体层120、第一导电半导体层130、具有第一和第二有源层141和142的有源层140、第二导电半导体层150、透明电极层16、第一电极180以及第二电极170。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010515795.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:税务自助终端设备
- 下一篇:娱乐终端机以及采用该终端机的设备