[发明专利]二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的制备方法

权利要求书

1.一种二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的制备方法，其特征在于：所述制备方法为两步滴加合成法，即先酰化，后酯化；反应方程式为：

SiCl₄+4(CH₃CO)₂O→(CH₃COO)₄Si+4CH₃COCL       (1)

(CH₃COO)₄Si+2(CH₃)₃COH→[(CH₃)₃CO]₂Si(CH₃COO)₂+2CH₃COOH     (2)

(1)酰化反应条件是：

反应温度：25～45(℃)

滴加时间：2～3(hr)

投料比：四氯化硅∶醋酐＝1∶(4.5～4.6)(mol)

平衡时间：3～4(hr)

脱低温度：45～70(℃)；

(2)酯化反应条件是：

投料比：四氯化硅∶叔丁醇＝1∶(2.1～2.2)(mol)

反应温度：25～40(℃)

反应时间：3～4(hr)

脱低温度：45～110(℃)

冷却温度：＜45℃

真空度：≥650～700(mmHg)。

2.根据权利要求1所述的二叔丁氧基二乙酰氧基硅烷的制备方法，其特征在于所述酰化反应条件是：

反应温度：30～38(℃)

滴加时间：2.2～2.5(hr)

投料比：四氯化硅∶醋酐＝1∶(4.55～4.58)(mol)

平衡时间：3.3～3.7(hr)

脱低温度：55～65(℃)

酯化反应条件是：

投料比：四氯化硅∶叔丁醇＝1∶(2.15～2.18)(mol)

反应温度：30～36(℃)

反应时间：3.5～3.8(hr)

脱低温度：55～100(℃)

冷却温度：20～35(℃)

真空度：680～700(mmHg)。