[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

提供一半导体基板；

于该半导体基板上形成一第一高介电常数介电层；

对该第一高介电常数介电层进行一第一处理工艺，因而形成一处理后第一高介电常数介电层；

于该处理后第一高介电常数介电层上形成一第二高介电常数介电层；以及

对该第二高介电常数介电层进行一第二处理工艺，因而形成一处理后第二高介电常数介电层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一处理工艺和该第二处理工艺为在一氧气环境下的一紫外线辐射和一臭氧环境下的一紫外线辐射的至少一个。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一和第二高介电常数介电层具有相同成分。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：

于形成该第一高介电常数介电层之前于该半导体基板上形成一虚设栅极结构；

于该半导体基板上形成一界面层，其位于该第一高介电常数介电层的下方；以及

于该第二高介电常数介电层上形成一金属栅极。

5.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

于一半导体基板上形成一栅极介电层的一第一部分；

对该栅极介电层的该第一部分进行一第一处理工艺；

于处理后的该第一部分正上方形成该栅极介电层的一第二部分；

对该栅极介电层的该第二部分进行一第二处理工艺；以及

于该栅极介电层上形成一栅极。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中形成该栅极介电层的该第一部分和该第二部分包括进行至少两个循环的一原子层沉积法。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还包括：

于处理后的该第二部分正上方沉积该栅极介电层的一第三部分；

对该栅极介电层的该第三部分进行一第三处理工艺。

8.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

于一半导体基板上形成一虚设栅极结构；

形成一源极区和一漏极区邻接该虚设栅极结构；

然后移除该虚设栅极结构以形成一沟槽；

于该半导体基板上且包括于该沟槽中沉积一高介电常数介电层的一第一部分；

处理该高介电常数介电层的该第一部分；

于处理后的该高介电常数介电层的该第一部分正上方形成该高介电常数介电层的一第二部分；

处理该高介电常数介电层的该第二部分；以及

于处理后的该高介电常数介电层的该第二部分上形成一金属栅极。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中沉积该高介电常数介电层的该第一部分是沉积小于该高介电常数介电层的十层原子层。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括：

于沉积该高介电常数介电层的该第一部分之前于该半导体基板上且该沟槽中形成一界面层。