[发明专利]基于绝缘体上硅的双极结型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010518397.5 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101986433A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘体 双极结型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于，所述基于绝缘体上硅的双极结型晶体管包括：
SOI衬底，所述SOI衬底进一步包括硅基衬底以及形成在所述硅基衬底上的氧化物埋层；
浅沟槽隔离，形成在所述SOI衬底内；
有源区，由所述浅沟槽隔离在所述SOI衬底内定义，且所述有源区位于浅沟槽隔离之间区域；
集电区，具有第一导电性离子，并形成在所述有源区内；
基区，具有第二导电性离子，并形成在所述集电区上，且位于所述有源区表面；
介质层，间隔分布在所述有源区表面；
发射区，具有第一导电性离子，并形成在所述介质层上。
2.如权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于：所述发射区的宽度基于介质层间隔分布的间距而定。
3.如权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于：所述第一导电性离子为n型离子，第二导电性离子为p型离子。
4.如权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于：所述第一导电性离子为p型离子，第二导电性离子为n型离子。
5.如权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于：所述发射区具有n型离子掺杂。
6.如权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于：所述介质层为氧化物层。
7.如权利要求6所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管，其特征在于：所述氧化物层为二氧化硅层。
8.一种如权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的方法包括：
在SOI衬底上刻蚀浅沟槽隔离，并定义基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的有源区；
在所述有源区内形成具有第一导电性离子的集电区；
在所述集电区上淀积形成具有第二导电性离子的基区；
在有源区的表面淀积介质层，所述介质层在所述有源区的表面间隔分布；
在介质层的表面形成具有第一导电性离子的发射区。
9.如权利要求8所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的制造方法，其特征在于：所述发射区的宽度基于介质层间隔分布的间距而定。
10.如权利要求8所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的制造方法，其特征在于：所述第一导电性离子为n型离子，第二导电性离子为p型离子。
11.如权利要求8所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的制造方法，其特征在于：所述第一导电性离子为p型离子，第二导电性离子为n型离子。
12.如权利要求8所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的制造方法，其特征在于：所述介质层为氧化物层。
13.如权利要求12所述的基于绝缘体上硅的双极结型晶体管的制造方法，其特征在于：所述氧化物层为二氧化硅层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010518397.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
