[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法有效
| 申请号： | 201010518627.8 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102456606A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 雷强;沈亮;高喜峰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：
提供依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层的衬底；
依次刻蚀所述刻蚀停止层、衬垫氧化层，直至暴露衬底，形成开口；
对所述开口暴露出来的衬底进行氧化，形成扩散氧化层，所述扩散氧化层沿暴露出来的衬底向四周扩散；
刻蚀所述开口对应区域，形成浅沟槽；
在所述浅沟槽表面形成介质保护层；
形成覆盖所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的隔离介质层；
对所述隔离介质层进行平坦化处理直至暴露所述刻蚀停止层；
去除所述刻蚀停止层和所述衬垫氧化层。
2.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，采用热氧化的方法形成所述扩散氧化层。
3.依据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述的扩散氧化层的材料为氧化硅。
4.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于：所述所述扩散氧化层从开口暴露出来的衬底的位置开始沿衬垫氧化层厚度逐渐变薄。
5.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述介质保护层的材料是氧化硅。
6.依据权利要求1或5所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，采用热氧化的方法形成所述介质保护层。
7.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述隔离介质层的材料是氧化硅。
8.依据权利要求1或7所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，采用高密度等离子体辅助化学气相沉积法形成所述隔离介质层。
9.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，去除部分隔离介质层所用的方法是化学机械研磨法。
10.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，去除所述衬垫氧化层和所述刻蚀停止层的方法是湿法蚀法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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