[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法有效
申请号: | 201010519849.1 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN102163613A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 辻明子;松元寿树;藤冈弘文;浅野慎;佐川裕志;三浦究 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G09F9/33;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;
电路部,被配置为形成于所述基板上,并包括驱动元件;
平坦化绝缘层,被配置为形成于所述电路部上;
导电层,被配置为形成于所述平坦化绝缘层上,并且包括多个第一电极和辅助配线;
开口限定绝缘层,被配置为使所述多个第一电极相互绝缘且具有使所述第一电极的一部分暴露的开口;
多个发光元件,被配置为在所述多个第一电极的每一个的暴露部分由所述第一电极、包括发光层的有机层、以及对于所述多个发光元件共有的第二电极依次堆叠而形成;以及
分离部,被配置为通过在设置了连接至所述驱动元件的所述多个发光元件的显示区域周围的位置处移除所述平坦化绝缘层而形成,其中,
在所述分离部内的整个区域中,所述导电层和所述开口限定绝缘层中的至少一个介于所述平坦化绝缘层和所述第二电极之间、以及所述平坦化绝缘层和所述有机层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
接触部,被配置为由与包括在所述驱动元件中的金属层相同的层形成且将所述辅助配线与所述第二电极电连接,其中,
在所述平坦化绝缘层中,在所述接触部上形成用于将在所述平坦化绝缘层上形成的所述辅助配线引导至下层的开口,以及
所述平坦化绝缘层的开口的内壁面被所述辅助配线和所述开口限定绝缘层中的至少一个覆盖。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述平坦化绝缘层的开口的内壁面被所述开口限定绝缘层覆盖。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
在所述分离部内且在所述显示区域外的区域中,所述开口限定绝缘层形成为使得由以下表达式所定义的所述开口限定绝缘层的覆盖率是在30%至100%的范围中的值,
表达式:
开口限定绝缘层的覆盖率=(开口限定绝缘层的覆盖面积/在分离部内且在显示区域外的区域的面积)×100%。
5.一种显示装置的制造方法,包括以下步骤:
在基板上形成包括驱动元件的电路部,
在所述电路部上形成平坦化绝缘层,
在形成了连接至所述驱动元件的多个发光元件的显示区域外的区域中,通过在所述显示区域周围的位置处移除所述平坦化绝缘层而形成分离部,
在所述平坦化绝缘层上形成包括多个第一电极和辅助配线的导电层,
形成使各所述第一电极相互绝缘且具有使所述第一电极的一部分暴露的开口的开口限定绝缘层,以及
通过在所述多个第一电极的每一个的暴露部分由所述第一电极、包括发光层的有机层、以及对于所述多个发光元件共有的第二电极依次堆叠而形成所述多个发光元件,其中,
在形成所述导电层、形成所述开口限定绝缘层、形成所述发光元件的过程中,所述导电层、所述开口限定绝缘层及所述多个发光元件形成为使得在所述分离部内的整个区域中,所述导电层和所述开口限定绝缘层中的至少一个介于所述平坦化绝缘层和所述第二电极之间、以及所述平坦化绝缘层和所述有机层之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法,其中,
在形成所述电路部的过程中,通过使用与包括在所述驱动元件中的金属层相同的层来形成将所述辅助配线和所述第二电极电连接的接触部,
在形成所述平坦化绝缘层的过程中,在所述接触部上形成用于将形成于所述平坦化绝缘层之上的所述辅助配线引导至下层的开口,
在形成所述导电层和形成所述开口限定绝缘层的过程中,所述辅助配线和所述开口限定绝缘层形成为使得所述平坦化绝缘层的开口的内壁面被所述辅助配线和所述开口限定绝缘层中的至少一个覆盖。
7.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法,其中,
在形成所述开口限定绝缘层的过程中,所述开口限定绝缘层形成为覆盖所述平坦化绝缘层的开口的内壁面。
8.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法,其中,
在形成所述开口限定绝缘层的过程中,在所述分离部内且在所述显示区域外的区域中,所述开口限定绝缘层形成为使得由以下表达式所定义的所述开口限定绝缘层的覆盖率是在30%至100%的范围中的值,
表达式:
开口限定绝缘层的覆盖率=(开口限定绝缘层的覆盖面积/在分离部内且在显示区域外的区域的面积)×100%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010519849.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的