[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法

说明书

相关申请的参考

本申请包含于2009年10月22日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-243589所披露的主题，将其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。更具体地，本发明涉及使用有机电致发光(EL)元件的自发光型显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，作为替代液晶显示器的显示装置，使用有机EL元件的有机EL显示器正为人所关注。有机EL显示器是这样的自发光型显示器，其中，响应于对有机材料的电流施加，该有机材料自身发光。有机EL显示器具有如下的优良特性：无需背光、优良的颜色再现性、高对比度、适应动画的响应性、广视角等。

同时，有机EL显示器会由于吸湿而使有机EL元件的有机层劣化，从而存在例如有机EL元件的发光亮度下降、发光变得不稳定等问题。

对于有机EL显示器，提出了一种有源矩阵系统，其中为每个像素设置作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)，且控制包括在像素中的有机EL元件。

在此有源矩阵系统的有机EL显示器中，具有平坦面的有机绝缘膜形成为位于TFT上方的层，且在有机绝缘膜的平坦面上，多个有机EL元件形成为矩阵。该有机绝缘膜具有透水性。如果水由于该有机绝缘膜而扩散至设置了有机EL元件的显示区域P，则有机EL元件会劣化并发生显示失败等问题。

已提出了各种防止水扩散至显示区域P的技术。例如，日本专利公开第2006-054111号(后称专利文献1)提出了一种提供围绕显示区域的分离部的技术。在该技术中，通过分离部可防止残留在外围区域的水进入显示区域。例如，日本专利公开第2005-266667号(后称专利文献2)提出了一种在设置于外围区域的下部电极上设置达到第一绝缘膜的孔来排出包含在绝缘膜中的水等的技术。

在从密封板侧提取光、具有顶部发光结构的有机EL显示器中，光提取侧的电极(上部电极)是各有机EL元件共用的电极，且是用诸如铟锡氧化物(ITO)的透光性导电材料来形成的。

然而，这样的透光性导电材料的电阻率比普通金属材料的电阻率高出二或三个数量级。因此，施加在上部电极上的电压在面内不均匀，导致在各有机EL元件之间产生了不同位置上的发光亮度差异以及显示质量降低的问题。

为了解决该问题，例如，日本专利公开第2004-207217号(后称为专利文献3)提出了在与阳极相同的层上形成与阴极相连接的电源辅助配线的技术。在此技术中，与第一电极在同一层的电源辅助配线连接至显示区域外，且阴极和电源辅助配线也在显示区域内相连接。因此，稳定了阴极电压。

在专利文献3的技术中，使用AlNd合金作为阳极材料以确保阳极的高反射率，而使用透光性的MgAg合金用于阴极。然而，在AlNd合金的表面很容易生成自然氧化膜。这增加了阴极和由与阳极相同的材料构成的电源辅助配线之间的接触电阻，从而出现了阴极与电源辅助配线之间的电连接变得不稳定的问题。

为解决这一问题，PCT专利公开第WO2007/148540号说明书中(后称专利文献4)提出了将阴极与作为第二金属层(其形成用TFT构成的电路的信号线和电源线)的Ti/Al/Ti多层膜接触，且阴极通过Ti与作为辅助配线的AlNd合金连接的技术。

具体地，在该技术中，如图28所示，由Ti/Al/Ti多层膜形成的接触垫225电连接至由AlNd合金组成的辅助配线214。此外，由MgAg合金组成的阴极218电连接至接触垫225。从而，辅助配线214与阴极218通过接触垫225彼此电连接。

为了形成该连接结构，在平坦化绝缘膜213上形成了用于将辅助配线214引导至下层的开口。在开口限定绝缘膜216上形成用于将阴极218引导至下层的开口。此外，为了防止沿该开口的内壁面形成的阴极218因梯级而破裂，开口限定绝缘膜216的开口尺寸设为比平坦化绝缘膜213的开口尺寸大。因此，平坦化绝缘膜213的平坦面局部具有未被开口限定绝缘膜216覆盖的暴露面。阴极218沿着此暴露面以及平坦化绝缘膜213的开口的内壁面形成。

例如，如日本专利公开第2002-116715号(后称为专利文献5)和日本专利公开第2001-160486号(后称为专利文献6)中所述，诸如聚苯并唑或聚酰亚胺的光敏树脂被用作开口限定绝缘膜216和平坦化绝缘膜213的材料。在涂覆光敏树脂后，开口形成部被暴露出来，且暴露部分被去除液去除。从而，形成了开口限定绝缘膜216的开口和平坦化绝缘膜213的开口。

发明内容