[发明专利]再剥离性粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及再剥离性粘合片，更详细而言，涉及半导体制造工艺中使用的再剥离性粘合片。

背景技术

近年来，随着各种电子器件的小型化、IC卡的普及，半导体晶片例如需要形成约50μm以下的薄膜。另外，为了提高生产率而研究晶片的进一步大口径化。

通常，在半导体晶片的制造中，在晶片的表面上形成电路图案后，用研磨机等磨削晶片背面来调整至规定的厚度。此时，通常为了保护晶片表面而将粘合片贴附到晶片表面上，进行背面磨削。另外，晶片磨削之后，有时以晶片表面贴合有粘合片的状态运送到下一工序。

然而，磨削后的晶片容易产生翘曲。尤其，在常用的直径8英寸或12英寸的大型晶片、IC卡用的薄型晶片中，翘曲的问题严重。另外，产生了翘曲的晶片在运送中或者在粘合片剥离中容易破裂。

一般，在磨削刚结束后的贴合有粘合片的状态下，晶片的翘曲比剥离粘合片之后的晶片的翘曲大。即，据认为，将贴合有粘合片的晶片磨削至极薄时，粘合片的残留应力大于晶片的强度，由要抵消该残留应力的力引起晶片产生翘曲。

因此，提出了将构成粘合片的基材薄膜的拉伸模量设定为0.6GPa以上来降低该残留应力的方法(例如专利文献1)。

另外，提出了在拉伸试验中在伸长率10％下拉伸1分钟后的应力松弛率为40％以上的粘合片(例如专利文献2)。

然而，在将半导体晶片磨削至极薄时或者在磨削大口径晶片时，这些粘合片的各种特性对于抑制磨削后的晶片的翘曲来说未必是最适宜的。

另外，随着近年来的晶片的极薄化，容易产生由磨削时的应力引起的晶片破裂、晶片边缘部的缺口。

因此，提出了在磨削加工和切割后的拾取时具有不使半导体晶片破损的程度的低粘合力、可容易地剥离的粘合片(例如专利文献3)。

根据该粘合片，一方面具有可容易地剥离的粘合力，另一方面在磨削加工中没有磨削水浸入，确保了必要的粘合力，同时，在粘合片剥离后可抑制在晶片表面和背面上留有残胶。

此外，近年来，为了实现半导体封装的高密度化、小型化、高功能化而开发将芯片堆叠的技术，但极薄化的晶片的芯片间的厚度偏差被视为问题。这一芯片间的厚度偏差是由晶片磨削时保护图案的粘合片的厚度偏差在磨削后原样转印造成的，粘合片的厚度精度成为一大问题。

另外，装置制造商为了提高极薄晶片的处理性，逐步采用在线完成从晶片磨削工序至固定到切割胶带上的工序、此后将晶片面的粘合片剥离的技术，即，使用切割胶带与芯片贴装薄膜(Die Attach Film，DAF)一体化的2合1DAF方式的技术。在该方式中，在将晶片固定到2合1DAF上进行加工时，例如，由于有的会加热到接近100℃，因此希望加热后不产生粘合片收缩而晶片翘曲，考虑到此后的粘合片的剥离，希望加热后的粘合力不上升。

另外，目前最受关注的粘合片是放射线固化型粘合片，利用放射线照射将粘合剂层固化时，产生强烈的臭气，有时对作业者的健康卫生方面产生不良影响。另外，虽然剥离后的晶片的非污染性比较良好，但随着半导体封装的进一步小型化等，需要极力抑制由粘合剂层的残胶导致的微米级或亚微米级的污染、确保半导体集成电路的长期的可靠性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-212524号公报

专利文献2：日本专利第3383227号

专利文献3：日本专利第3862489号

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的是提供一种再剥离性粘合片，其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，且能够降低针对温度变化的粘合力上升和/或再剥离时的被粘物的污染，可容易地剥离。

用于解决问题的方案

本发明的再剥离性粘合片，其特征在于，其具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，

该再剥离性粘合片的弹性模量为10³MPa以上，在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1％以下，并且

粘合剂层设定为一定的厚度，使得在前述再剥离性粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。

在这种再剥离性粘合片中，优选的是，粘合剂层包含重均分子量10⁵以下的分子量成分的含量为10重量％以下的丙烯酸系聚合物，