[发明专利]工艺数据分析方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及数据分析技术，特别是涉及一种工艺数据分析方法和系统。

背景技术

目前，各种工艺具有数据采集功能。以半导体制程为例，数据采集(DC，Data Capture)系统会实时采集各种工艺数据，具体而言，该DC系统通常会随着时间的递增记录下各个工艺过程参数值，如压力，温度，射频电压等。

通过分析采集到的工艺数据，操作人员不但可以监控分析设备的状况，还可以分析寻找工艺改进的方向，提高工艺的结果。因此，如何能够方便、快捷地分析工艺数据，以便工艺工程师或设备工程师通过工艺数据对机台设备及工艺现状进行监控和改进，在工艺发展中有着不可忽视的作用。

一般情况下，操作人员在对工艺数据进行分析时，除了针对某个chamber(腔室)下某个工艺过程中的个别工艺过程参数进行单独查看分析外，大多数时候更需要通过针对不同情况下的工艺过程参数的对比来分析，通常的分析对象包括以下几类：A类、同一wafer(硅片)不同工艺过程参数之间；B类、同一chamber不同wafer的同一工艺过程参数之间；C类、不同chamber同一工艺过程参数之间。

现有工艺数据分析方法能够依据chamber的不同或者工艺过程参数的不同，设置所述分析对象的曲线属性；例如，可以为两个A类分析对象或者两个C类分析对象设置不同的曲线属性，这里的曲线属性可以包括颜色、线型、线宽等；因此，操作人员可直观的分辨出各曲线分别对应哪个分析对象，方便快捷的对比该两条曲线所分别代表的工艺数据，从而能够为进一步的分析提供直观便捷的平台。

但是，由于只能根据chamber的不同或者工艺过程参数的不同分别设置曲线属性，B类分析对象也即同一chamber下的不同wafer并无单独的属于每个wafer的曲线属性设置方式，因此，若用户选择了同一chamber下的不同wafer，只能通过一套曲线属性设置方式设置该chamber下的所有的wafer的参数。这样，在分析B类分析对象时，绘图区同样会显示两条曲线，不过所述两条曲线的颜色、线型、线宽等属性都是一样的，让用户无法区分哪条曲线是哪个wafer的数据。

而针对对比对象B的分析又是检测工艺数据的一个重要依据，要进行该对比分析，只能通过DC系统将工艺数据导出到excel文件，然后针对数据文件进行手动分析，过程繁琐复杂而且耗时。

总之，需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够提供一种便捷、高效的工艺数据分析方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺数据分析方法和系统，用以便捷、高效地进行工艺数据的分析。

为了解决上述问题，本发明公开了一种工艺数据分析方法，包括：

针对查询得到的工艺数据，进行自顶向下的逐级筛选，定位到分析对象；

设置所述分析对象的曲线属性；

依据所述曲线属性，绘制相应分析对象的曲线；

依据所述曲线，对相应分析对象进行分析。

优选的，所述定位到分析对象的步骤为，针对查询得到的工艺数据，按照腔室到硅片到工艺过程参数的筛选顺序，定位到分析对象。

优选的，所述定位到分析对象的步骤包括：

腔室定位步骤：识别当前分析对象所属的腔室，并依据所述查询工艺数据，获取所识别腔室的工艺数据；

硅片定位步骤：识别当前分析对象所属的硅片，并依据所识别腔室的工艺数据，获取所识别硅片的工艺数据；

参数定位步骤：识别当前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。

优选的，所述方法还包括：

如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室不同，则返回所述腔室定位步骤；

或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室相同，则返回所述硅片定位步骤；

或者，如果下一个分析对象与当前分析对象所属的腔室和硅片均相同，则返回所述参数定位步骤。

优选的，所述方法还包括：添加参数类型，其中，一个参数类型对应一个或多个工艺过程参数；

所述参数定位步骤包括：

识别当前分析对象所属的参数类型，并依据所识别硅片的工艺数据，获取所识别参数类型的工艺数据；

识别前分析对象所属的工艺过程参数，并依据所识别参数类型的工艺数据，获取所识别工艺过程参数的工艺数据。

优选的，所述曲线属性包括颜色、线宽、线型和/或曲线放大比例。