[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器，包括：

基板；

多条位线，相互平行地设置于该基板中；

多条字线，相互平行地设置于该基板上，并与该些位线不垂直交错；以及

至少一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构，设置于该些字线及该基板之间，并具有两个位储存节，该些字线与该些位线的不垂直交错的配置用以提高该些位储存节的储存空间，以增加所储存的电子浓度。

2.如权利要求1所述的存储器，还包括多个该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构，该些氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构相互隔开，且与该些位线间隔排列。

3.如权利要求2所述的存储器，还包括：

多个间隔物层，对应地设置于该些位线及该些字线之间，并与该些氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构间隔排列，用以隔离该些字线及该些位线。

4.如权利要求3所述的存储器，其中各该些间隔物层为扩散障碍氧化物。

5.如权利要求2所述的存储器，其中各该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构包括：

下氧化物层，设置于该基板上；

上氧化物层，设置于该下氧化层上；以及

氮化物层，设置于该上氧化物层及该下氧化物层之间。

6.如权利要求1所述的存储器，其中该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构整面连续地设置于该基板上，并覆盖该些位线，该些字线设置于部分的该氧化物/氮化物/氧化物层上。

7.如权利要求6所述的存储器，其中该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构包括：

下氧化物层，设置于该基板上；

上氧化物层，设置于该下氧化物层上；以及

氮化物层，设置于该上氧化物层及该下氧化物层之间。

8.如权利要求1所述的存储器，其中该些字线相对于该些位线倾斜45度。

9.一种存储器的制造方法，包括：

提供基板；

形成一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构于基板之上；

形成多条相互平行的位线于该基板中；以及

形成多条相互平行且与该些位线不垂直交错的字线于该基板上；

其中，该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构具有两个位储存节，该些字线与该些位线的不垂直交错的配置用以提高该些位储存节的储存空间，以增加所储存的电子浓度。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构的步骤还包括：

形成下氧化物层于该基板上；

形成氮化物层于该下氧化物层上；以及

形成上氧化物层于该氮化物层上。

11.如权利要求10所述的方法，其中形成该些位线的步骤还包括：

形成图案化光致抗蚀剂层于该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构上，该图案化光致抗蚀剂层具有多个开口，该些开口暴露部分的该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构；以及

形成该些位线于该些开口所对应的部分的该基板中。

12.如权利要求11所述的方法，其中形成该些位线于该些开口所对应的部分的该基板中的步骤还包括：

以离子注入法形成该些开口所对应的部分的该基板中。

13.如权利要求9所述的方法，其中形成该些字线的步骤还包括：

形成该些字线于部分的该氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构上，该些字线相对于该些位线倾斜45度。