[发明专利]存储器及其制造方法

说明书

本申请为旺宏电子股份有限公司于2006年12月26日向中国专利局提交的题为“存储器及其制造方法”的申请号为200610172726.9的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种存储器及其制造方法，尤其涉及一种字线与位线不垂直交错的存储器及其制造方法。

背景技术

请参照图1A及图1B，图1A绘示乃传统的双位氮化物只读存储器的部分俯视图，图1B绘示乃沿着图1A的剖面线1B～1B’所视的双位氮化物只读存储器的剖面图。在图1A～1B中，双位氮化物只读存储器(dual bit nitride read only memory，NROM)100包括一硅基板105、多条埋入式位线110、多条字线120、多个氧化物/氮化物/氧化物(oxide-nitride-oxide，ONO)堆叠结构130b、多个障碍扩散氧化物(barrier diffusion oxide)层140、多个存储单元(memory cell)130a(如图1A及图1B中的较大虚线范围所示)、多个第一位储存节(storage node)133及数个第二位储存节135(如图1A及图1B中的较小虚线范围所示)。

埋入式位线110相互平行地设置于硅基板105中，此些字线120亦相互平行地设置于硅基板105上。其中，此些字线120及此些埋入式位线110上下垂直交错。每一条字线120及硅基板105之间具有多个间隔排列的ONO堆叠结构130b，各ONO堆叠结构130b由下而上依序包括有一下氧化物层(bottom oxide layer)137、一氮化硅(silicon nitride，SiN)层138及一上氧化物层(top oxide layer)139。另外，此些障碍扩散氧化物层140对应地形成于埋入式位线110上，并与此些ONO堆叠结构间隔排列，用以隔离字线120及埋入式位线110。第一位储存节133及第二位储存节135对应地位于每一ONO堆叠结构130b中相邻于两障碍扩散氧化物层140之处。

然而，由于双位氮化物只读存储器100所处的外界环境中存有相当多的背景辐射，因此容易造成存储单元130a的第一位储存节133及第二位储存节135中的电子浓度降低。进而导致存储单元130a所储存的位错误，影响整体数据读取时的正确性。

发明内容

有鉴于此，依据本发明提供实施例的目的是提供一种存储器及其制造方法，其位线与字线不垂直的设计，使得存储单元具有较大的电子储存空间，而储存更大的电子浓度。当环境中的背景辐射造成存储单元的电子流失时，具有大量电子储存浓度的存储单元其电子浓度下降仍可在容许范围内。藉此，存储单元中的位仍可维持其正确性，并使整体数据读取时不产生错误。

依据本发明提供实施例的一目的，提出一种存储器，包括一基板、多条位线、多条字线及一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构。此些位线相互平行地设置于基板中。此些字线相互平行地设置于基板上，并与此些位线不垂直交错。氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构设置于字线及基板之间。

依据本发明提供实施例的另一目的，提出一种存储器的制造方法。首先，提供一基板。接着，形成一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构于基板上。然后，形成多条相互平行的位线于基板中。接着，形成多条相互平行且与此些位线不垂直交错的字线于基板上。

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A绘示乃传统的双位氮化物只读存储器的部分俯视图；

图1B绘示乃沿着图1A的剖面线1B～1B’所视的双位氮化物只读存储器的剖面图；

图2A绘示乃依照本发明的第一实施例的存储器的部分俯视图；

图2B绘示乃沿着图2A的剖面线2B～2B’所视的存储器的剖面图；

图3A～3E绘示乃依照本发明的第一实施例的存储器的工艺剖面图；

图4A绘示乃依照本发明的第二实施例的存储器的部分俯视图；

图4B绘示乃沿着图4A的剖面线4B～4B’所视的存储器的剖面图；

图5A～5D绘示乃依照本发明的第二实施例的存储器的工艺剖面图。

主要元件符号说明

100：双位氮化物只读存储器

105：硅基板

110：埋入式位线

120、230：字线

130a、215、315：存储单元

130b、240、250、340：氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构

133、217a、317a：第一位储存节