[发明专利]改善SONOS存储器中擦除深度的方法有效
| 申请号： | 201010521494.X | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102456409A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 sonos 存储器 擦除 深度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其特征在于：在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(-M-X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V；而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X)V，BL端的操作电压设为(-M-X)V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为电位偏差值，其通过试验得到。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述M为3.5，所述N为7.2，所述X为：0.2-0.8。
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