[发明专利]改善SONOS存储器中擦除深度的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种SONOS存储器的操作方法。

背景技术

在SONOS存储器工艺中，读写与擦除动作来确定1和0的区别，从而进行存储，读写与擦除必须有足够的阈值电压来区分，现在，人们为了减低操作电压尽量压缩阈值电压，尤其是擦除阈值电压，这就带来了性能和可靠性的问题。

在器件和工艺不变时，擦写操作电压(如WLS端与BL端电压差为10.7V)的差值已决定了，不可改变。擦除操作时，WLS(字总线)端接负电位，BL(位线)端接正电位；而写入操作时，WLS端与BL端反接。其中擦除和写入的深度决定于操作电压。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其能提高SONOS单体的擦除深度。

为解决上述技术问题，本发明的改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其为：在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(-M-X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V；而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X)V，BL端的操作电压设为(-M-X)V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为电位偏差值，通过试验得到。

本发明的改善SONOS存储器中擦除深度的方法，创造性地运用SONOS存储器中的寄身干扰(parasitic disturb)。在现有器件工艺不变的条件下，通过操作电压的微调来提高擦除(erase)深度，从而提高擦除阈值电压，达到改善SONOS存储器的器件性能和可靠性的目的。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为一个SONOS存储器中多体结构的连接图。

具体实施方式

一个具体的实例中，由4个SONOS单体(分别编号为T、A、B和C)组成的SONOS多体为例(见图1)，其中WL为字线端。现有的SONOS存储器的操作方法为：在现有操作电压条件下，WLS端的电压为-3.5V，BL端的电压为7.2V，进行所有SONOS单体的擦除，得到SONOS单体的擦除阈值电压Vte1；WLS端的电压为7.2V，BL端的电压为-3.5V，对SONOS单体T进行写入操作，得到SONOS单体T的写入阈值电压Vtp1。

本发明的改善存储器中擦除深度的方法，改变了操作电压：WLS端的电压设为-(3.5+X)V，BL端的电压设为(7.2-X)V，对所有SONOS单体进行擦除进行归零；WLS端的电压设为(7.2-X)V，BL端的电压设为-(3.5+X)V，对SONOS单体T进行写入，得到SONOS单体T的写入阈值电压Vtp2，因为操作电压差没变，Vtp2与Vtp1相同，所以即使改变操作电压，也没有改变SONOS单体的写入深度。在对SONOS单体T的写入操作完成后，对SONOS单体B测量得到Vte2，SONOS单体B在BL端的电压增大时而对SONOS单体T进行写入操作时，因为发生了比较强的擦除干扰(erase disturbing)，所以擦除深度在原有基础上进一步加深了，擦除阈值电压更大了，即Vte2大于Vte1。而SONOS单体A和SONOS单体C的擦除阈值电压基本保持不变。X值为通过试验得到，具体为能保证SONOS存储器的其他性能的情况下最大程度的提高擦除阈值电压的数值。在具体实施中，X可为0.2-0.8之间，最佳数值可通过试验得到。

本发明的方法，提高了SONOS存储器的擦除深度，和擦写窗口，可以有效地提高SONOS的可靠性。