[发明专利]制造集成电路装置的方法有效

专利信息
申请号: 201010522906.1 申请日: 2010-10-20
公开(公告)号: CN102290374A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 蔡明桓;郑振辉;欧阳晖;邱远鸿;陈燕铭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾300新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 制造 集成电路 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种制造集成电路装置的方法,其特征在于,包含:

提供一半导体基材;

形成一栅极结构于该半导体基材之上;

以一第一掺质于该半导体基材之上执行一第一植入工艺,进而在该半导体基材中形成一轻掺杂源极与漏极区,其中该栅极结构是插入于该轻掺杂源极与漏极区中;

以一第二掺质于该半导体基材之上执行一第二植入工艺,进而在该半导体基材中形成一掺杂区,其中该第二掺质相对于该第一掺质,该栅极结构插入于该掺杂区中;

形成该栅极结构的多个间隙壁;以及

在该栅极结构的二侧形成多个源极特征与漏极特征。

2.根据权利要求1所述的制造集成电路装置的方法,其特征在于,以该第二掺质于该半导体基材之上执行该第二植入工艺的步骤包含:

在该第二植入工艺之前,形成一介电层于该半导体基材之上,其中包含形成该介电层于该栅极结构之上;

在该第二植入工艺之中,使用该介电层做为一屏蔽,其中该掺杂区是以一距离与该栅极结构互相间隔,该距离是该介电层沿着该栅极结构的侧壁设置的部分的厚度;以及

于上述步骤之后,使用该介电层形成该些间隙壁。

3.根据权利要求1所述的制造集成电路装置的方法,其特征在于,以该第二掺质于该半导体基材之上执行该第二植入工艺的步骤包含:

执行一倾角离子植入于该半导体基材之上;

在该第二植入工艺之前,沿着该栅极结构的侧壁形成多个偏移间隙壁。

4.根据权利要求1所述的制造集成电路装置的方法,其特征在于,在该栅极结构的二侧形成该些源极特征与漏极特征的步骤包含:

移除该栅极结构的二侧的该半导体基材的部分,进而形成一凹陷部于该半导体基材之中,借以于该半导体基材之中定义一源极区与一漏极区;以及

磊晶成长一第一半导体材料以填充该凹陷部,进而形成该些源极特征与漏极特征。

5.根据权利要求4所述的制造集成电路装置的方法,其特征在于,形成该凹陷部于该半导体基材之中,借以于该半导体基材之中定义该源极区与该漏极区的步骤包含,为该源极区与该漏极区蚀刻位于该半导体基材的{111}晶体平面中的一第一晶面与一第二晶面,并蚀刻位于该半导体基材的{100}晶体平面中的一第三晶面。

6.一种制造集成电路装置的方法,其特征在于,包含:

提供具有一第一区域及一第二区域的一半导体基材;

分别于该半导体基材上的该第一区域及该第二区域之内形成一第一栅极结构及一第二栅极结构;

分别于该第一区域及该第二区域中形成一第一轻掺杂源极与漏极区及一第二轻掺杂源极与漏极区;

形成一介电层于该半导体基材之上,其中包含形成该介电层于该第二栅极结构之上;

于该半导体基材的该第二区域内的该第二栅极结构的二侧形成一掺杂区;

形成该第一栅极结构及该第二栅极结构的多个间隙壁;

于该半导体基材中的该第一栅极结构的二侧形成一第一凹陷部;

磊晶成长一第一半导体材料以填充该第一凹陷部;

于该半导体基材中的该第二栅极结构的二侧形成一第二凹陷部;以及

磊晶成长一第二半导体材料以填充该第二凹陷部,其中该第二半导体材料不同于该第一半导体材料。

7.根据权利要求6所述的制造集成电路装置的方法,其特征在于,形成该第二轻掺杂源极与漏极区的步骤包含以一第一型态掺质植入该半导体基材中,且形成该掺杂区的步骤包含以一第二型态掺质植入该半导体基材中,其中该第二型态掺质相对于该第一型态掺质。

8.根据权利要求6所述的制造集成电路装置的方法,其特征在于,形成该第一轻掺杂源极与漏极区的步骤包含以一n型掺质植入该半导体基材中,且形成该第二轻掺杂源极与漏极区的步骤包含以一p型掺质植入该半导体基材中;

其中形成该掺杂区的步骤包含以一n型掺质植入该半导体基材中。

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