[发明专利]一种高压LDMOS器件无效
| 申请号： | 201010523281.0 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101969074A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 方健;陈吕赟;李文昌;管超;吴琼乐;柏文斌;王泽华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 ldmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压LDMOS器件，包括衬底、位于衬底之上的外延层，位于外延层之上的漂移区，位于LDMOS器件两端的漏区和源区，其特征在于，在衬底和外延层的交界面上紧贴漂移区的下表面具有交替排列的至少一对n型半导体区和p型半导体区，所述n型半导体区和p型半导体区紧贴排列相互形成横向的PN结，同时p型半导体区与漂移区形成纵向的PN结。
2.根据权利要求1所述的一种高压LDMOS器件，其特征在于，在漂移区对应于漏区的部分向下扩展迈过衬底和外延层的交界面。
3.根据权利要求1或2所述的一种高压LDMOS器件，其特征在于，在n型半导体区和p型半导体区与漂移区的交界面上添加埋层，所述埋层的掺杂特性与漂移区相反。
4.根据权利要求1或2所述的一种高压LDMOS器件，其特征在于，在漂移区的上表面添加顶埋层，所述顶埋层的掺杂特性与漂移区相反。
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