[发明专利]发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201010523441.1 申请日: 2010-10-28
公开(公告)号: CN102456812A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 汪楷伦;许时渊 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,其包括基板、设置在基板上的第一电连接部和第二电连接部,以及设置在第一电连接部上的发光二极管晶粒,所述第一电连接部和第二电连接部电性绝缘,所述发光二极管晶粒包括第一电极和第二电极,所述第一电极与第一电连接部电性连接,所述第二电极通过连接线与第二电连接部形成电性连接,所述第一电连接部具有用于设置发光二极管晶粒的第一表面,所述发光二极管晶粒具有用于设置第二电极的第二表面,所述连接线具有一最高点,该最高点与第一表面之间的垂直距离大于连接线的其他部分与第一表面之间的垂直距离,其特征在于,所述最高点与第二表面之间的垂直距离小于第一表面和第二表面之间垂直距离的一半。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述连接线与第二电极形成第一电接触点,所述连接线靠近第一电接触点位置的切线与第二表面之间的夹角范围为0度到45度。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述连接线靠近第一电接触点位置的切线与第二表面之间的夹角范围为0度到30度。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构进一步包括一封装体,该封装体完全覆盖发光二极管晶粒以及连接线。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述封装体中掺杂有荧光粉粒子。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构进一步包括一反射杯,该反射杯与基板共同形成一容置腔体,所述发光二极管晶粒设置在该容置腔体的内部。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述容置腔体内部填充有封装材料,所述封装材料完全覆盖发光二极管晶粒以及连接线。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述连接线与第二电极之间的接触点位置形成有一焊球,该焊球的与连接线接触点相反的表面与第二电极所在平面之间的夹角为0度到90度之间。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管晶粒具有一第三表面,所述第一电极设置在该第三表面上且通过一第二连接线与第一电连接部电性连接,所述第二电连接线具有一第二高点,该第二高点与第一表面之间的垂直距离大于第二连接线的其他部分与第一表面之间的垂直距离,所述第二高点与第三表面之间的垂直距离小于第一表面和第三表面之间垂直距离的一半。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二连接线与第一电极形成第二电接触点,所述第二连接线靠近第二电接触点位置的切线与第三表面之间的夹角范围为0度到45度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010523441.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top