[发明专利]一种福沙那韦钙晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种福沙那韦钙晶体，具有式I所示的结构式，

其特征在于，所述福沙那韦钙晶体的第一晶面间距为第一布拉格角为5.441°；第二晶面间距为第二布拉格角为9.357°；第三晶面间距为第三布拉格角为14.369°。

2.根据权利要求1所述的福沙那韦钙晶体，其特征在于，所述福沙那韦钙晶体的第四晶面间距为第四布拉格角为27.229°。

3.一种根据权利要求1所述的福沙那韦钙晶体的制备方法，其特征在于，将福沙那韦钙成品和干燥剂放入真空烘箱中，在20～150℃温度下烘至水分≤5％。

4.根据权利要求3所述的福沙那韦钙晶体的制备方法，其特征在于，所述温度为60～110℃。

5.根据权利要求3所述的福沙那韦钙晶体的制备方法，其特征在于，所述干燥剂选自物理吸附干燥剂和化学吸附干燥剂一种或两种。

6.根据权利要求5所述的福沙那韦钙晶体的制备方法，其特征在于，所述物理吸附干燥剂选自硅胶、氧化铝凝胶、分子筛、活性炭、骨炭、木炭、矿物干燥剂和活性白土一种或几种。

7.根据权利要求5所述的福沙那韦钙晶体的制备方法，其特征在于，所述化学吸附干燥剂选自酸性干燥剂、碱性干燥剂和中性干燥剂的一种或几种。

8.根据权利要求7所述的福沙那韦钙晶体的制备方法，其特征在于，所述酸性干燥剂选自浓硫酸、五氧化二磷和高氯酸镁的一种或几种；所述碱性干燥剂选自氢氧化钾、烧碱、氧化钡、石灰和碱石灰的一种或几种；所述中性干燥剂选自无水硫酸钙、无水氯化钙、无水硫酸镁和硅胶的一种或几种。