[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一基板；以及

一鳍式场效应晶体管，包括：

一鳍，于该基板上，包括一第一鳍部分与一第二鳍部分；

一栅极堆叠，于该第一鳍部分的一上表面与侧壁上；

一外延半导体层，包括一第一部分，直接于该第二鳍部分上，以及一第二部分，于该第二鳍部分的侧壁上；以及

一金属硅化物层，于该外延半导体层上，其中该鳍式场效应晶体管的一有效金属硅化物周边的一总长度对该鳍式场效应晶体管的一鳍周边的一总长度的一周边比大于1。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该有效金属硅化物周边包括一顶部与一侧壁部分，于该外延半导体层的该第二部分上。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一伪鳍，其中该外延半导体层延伸于该伪鳍的一上表面与侧壁上，以及其中该有效金属硅化物周边未包括该伪鳍的外侧上的任何侧壁部分。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中延伸于多个鳍上的该有效金属硅化物周边的一顶部为非平坦，直接于该第二鳍部分上的该有效金属硅化物周边的一部分高于该鳍式场效应晶体管的水平位于该第二鳍部分与一额外鳍之间的该有效金属硅化物周边的一额外部分。

5.一种集成电路结构，包括：

一基板；

一绝缘区，于该基板上；以及

一鳍式场效应晶体管，包括：

一鳍，于该基板上，包括一第一鳍部分与一第二鳍部分；

一栅极堆叠，于该第一鳍部分的一上表面与侧壁上；

一外延半导体层，包括一顶部，直接于该第二鳍部分上，以及侧壁部分，直接于该绝缘区上；以及

一金属硅化物层，于该外延半导体层上，并与该外延半导体层具有一介面，其中该介面的一长度对该鳍的一鳍周边的一长度的一周边比大于1。

6.如权利要求5所述的集成电路结构，其中该金属硅化物层为坦覆性，具有一顶部厚度，实质上与一侧壁厚度相等。

7.如权利要求5所述的集成电路结构，其中该金属硅化物层包括侧壁部分，于该外延半导体层的该侧壁部分上，以及其中该金属硅化物层的底端与该绝缘区域的上表面距离一垂直间隔。

8.一种集成电路结构，包括：

一基板；

绝缘区，于该基板上；以及

一鳍式场效应晶体管，包括：

多个鳍，于该基板上，其中每一所述多个鳍包括一第一鳍部分与一第二鳍部分；

一栅极堆叠，于每一所述多个鳍的该第一鳍部分的一上表面与侧壁上；

一外延半导体层，包括一部分，直接于每一所述多个鳍的该第二鳍部分上，以及侧壁部分，直接于所述绝缘区上；以及

一金属硅化物层，于该外延半导体层上，并与该外延半导体层具有一介面，其中该鳍式场效应晶体管的一有效金属硅化物周边的一总长度对所述多个鳍的周边的一总长度的一周边比大于1。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，其中该有效金属硅化物周边包括侧壁部分，于所述多个鳍的外侧壁上。

10.如权利要求8所述的集成电路结构，还包括一伪鳍，其中该外延半导体层延伸于该伪鳍的一上表面与侧壁上，以及其中该有效金属硅化物周边未包括该伪鳍的一外侧上的侧壁部分。