[发明专利]一种单晶硅片制绒液及其用于制绒的方法有效
申请号: | 201010526866.8 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN101962811A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 曾庆云;王义涛;梅晓东 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 片制绒液 及其 用于 方法 | ||
技术领域
本发明属于单晶硅太阳能电池技术领域,尤其涉及一种单晶硅片的制绒液及其用于制绒的方法。
背景技术
利用低浓度碱性腐蚀液对单晶硅的各向异性腐蚀原理,在硅表面形成金字塔的结构,使入射光的光程增加,增加光的吸收,降低反射率,提高太阳能电池的转化效率。目前,在单晶硅片的制绒液中,目前使用的制绒液主要包括:苛性碱氢氧化钠或氢氧化钾、缓冲助剂如异丙醇、酒精、硅酸钠等。现有制绒液及其制绒工艺存在以下问题:(1)硅片制绒减薄量大,电池片碎片率高、翘曲度大。(2)制绒效果不稳定,成品率难以控制。(3)制绒后硅表面金字塔偏大,均匀性差,不利于后道扩散结深的均匀性和丝印工序金属与硅的接触。为了解决以上的问题,我们发明了新的单晶硅制绒液及新的制绒方法,并获得了好的制绒效果。
发明内容
本发明的目的是提供一种单晶硅片的制绒液,以及将该制绒液用于单晶硅片的绒面制作方法,使制绒后形成的金字塔细小、均匀、成核密度提高,制绒减薄量小,其工艺稳定、操作方便、易于控制。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种单晶硅片制绒液,包含氢氧化钠、异丙醇和添加剂,其配方以质量比计为:氢氧化钠0.1%~3%,异丙醇2%~10%,添加剂0.01%~2%,其余为水;其中,所述添加剂的配方以质量比计为:葡萄糖、葡萄糖酸钠或葡萄糖酸钾0.001%~3%,聚氧乙烯醚100ppb~8000ppb,乳酸钠或柠檬酸钠0.001%~2%,丙二醇0.001%~2%,硅酸钠0.01%~6%,碳酸钠或碳酸氢钠0.001%~2%,其余为水。
作为一种优选,所述的聚氧乙烯醚为壬基酚聚氧乙烯醚或癸基酚聚氧乙烯醚。
作为一种优选,以质量比计,所述氢氧化钠为0.5%~1.5%,所述异丙醇为4%~8%,所述添加剂为0.1%~1.2%。
作为一种优选,在所述添加剂中,以质量比计,葡萄糖、葡萄糖酸钠或葡萄糖酸钾为0.1%~2%,聚氧乙烯醚为800ppb~6000ppb,乳酸钠或柠檬酸钠为0.1%~1.5%,丙二醇为0.05%~1.2%,硅酸钠为0.1%~4%,碳酸钠或碳酸氢钠为0.05%~1%。
所述的单晶硅片制绒液用于制绒的方法,包括以下步骤:
⑴对单晶硅片进行预清洗;
⑵以葡萄糖、葡萄糖酸钠或葡萄糖酸钾0.001%~3%,聚氧乙烯醚100ppb~8000ppb,乳酸钠或柠檬酸钠0.001%~2%,丙二醇0.001%~2%,硅酸钠0.01%~6%,碳酸钠或碳酸氢钠0.001%~2%,其余为水的质量比配制添加剂;
⑶将水计量并加入制绒槽,升温至反应温度70℃~90℃,以质量比计添加水的0.1%~3%的氢氧化钠,2%~10%的异丙醇,0.01%~2%的添加剂;
⑷添加完毕后,将制绒槽内的制绒液搅拌均匀;
⑸将经过预清洗的单晶硅片放入制绒槽内的制绒液中反应,控制反应温度为70℃~90℃,反应时间为10min~30min。
作为一种优选,所述反应温度控制为75℃~85℃。
作为一种优选,以质量比计添加水的0.5%~1.5%的氢氧化钠,4%~8%的异丙醇和0.1%~1.2%的添加剂。
作为一种优选,以葡萄糖、葡萄糖酸钠或葡萄糖酸钾0.1%~2%,聚氧乙烯醚800ppb~6000ppb,乳酸钠或柠檬酸钠0.1%~1.5%,丙二醇0.05%~1.2%,硅酸钠0.1%~4%,碳酸钠或碳酸氢钠0.05%~1%,其余为水的质量比配制添加剂。
本发明技术方案的实质性特点为:在添加剂中加入含聚氧乙烯醚类和多羟基的葡萄糖类有机物,可在制绒过程中降低溶液的表面张力,为单晶硅片表面金字塔的形成提供起绒点,控制金字塔的尺寸和制绒过程的稳定性;丙二醇和乳酸钠或柠檬酸钠可以除去硅片表面油污,使表面洁净状况均一,更有利于制绒的均匀性,提高制绒效果;硅酸钠和碳酸钠或碳酸氢钠作为绒面缓冲剂,使反应更加平缓均匀。制绒后金字塔角锥体边长变小,分布均匀,覆盖整个表面,金字塔塔尖清晰,绒面反射率低,经过检测,使用本发明制作的单晶硅片绒面反射率由目前的常规工艺的12.8%降到11.5%。
本发明制绒液及其用于制绒的方法,利用添加剂中有机基团作为金字塔起绒点,控制制绒反应(即化学腐蚀)的温度和时间,大大提高金字塔成核密度,金字塔细小,均匀性好,减薄量小,绒面反射率低,制绒成品率高。
附图说明
图1为使用现有制绒液和常规工艺制作的单晶硅片金字塔绒面。
图2为本发明制绒液及其制绒工艺制作的单晶硅片金字塔绒面。
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