[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括：

于一基底上形成多个柱状体；

利用非共形线状原子层沉积法于该多个柱状体的上表面及侧壁上形成一连续的第一氧化层，该第一氧化层连续覆盖该多个柱状体且具有至少一第一开口；以及

移除部分该第一氧化层，以暴露出该多个柱状体的上表面并于各该柱状体的侧壁上形成一第一支撑件，该第一支撑件位于对应的该柱状体的侧壁的一第一高度上且围绕该柱状体的外围，其特征在于围绕于两相邻柱状体的该多个第一支撑件互相连接，且围绕于两相对柱状体的该多个第一支撑件互不接触且之间具有一第二开口。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于该第一氧化层的材料包括三氧化二铝。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于该柱状体的材料包括多晶硅、钨以及氮化钛。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于各该柱状体的高宽比介于10至60之间。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于该多个柱状体的形成方法包括：

于该基底上形成一牺牲层；

于该牺牲层中形成多个第三开口；

于该多个第三开口中形成该多个柱状体；以及

移除部分该牺牲层，使该牺牲层的高度小于该第一高度。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于还包括在移除部分该第一氧化层之前，经由该第一开口移除剩余的该牺牲层。

7.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于还包括经由该第二开口移除剩余的该牺牲层。

8.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于该牺牲层的材料包括硅与氧化硅。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于该多个柱状体的形成方法包括化学气相沈积法。

10.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于各该柱状体的形状包括圆柱体。

11.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于各该第一支撑件的形状包括中空环状。

12.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于还包括：

利用非共形线状原子层沉积法在该多个柱状体的上表面及侧壁上形成一连续的第二氧化层，该第二氧化层连续覆盖该多个柱状体且具有至少一第四开口；以及

移除部分该第二氧化层，以暴露出该多个柱状体的上表面并于各该柱状体的侧壁上形成一第二支撑件，该第二支撑件位于各该柱状体的侧壁的一第二高度上且围绕该柱状体的外围，其中围绕于两相邻柱状体的该多个第二支撑件互相连接，且围绕于两相对柱状体的该多个第二支撑件互不接触且之间具有一第五开口，以及该第二高度大于该第一高度。

13.根据权利要求12所述的半导体元件的制造方法，其特征在于该第二氧化层的材料包括三氧化二铝。

14.根据权利要求12所述的半导体元件的制造方法，其特征在于各该第二支撑件的形状包括中空环状。

15.一种半导体元件，其特征在于包括：

多个柱状体，配置于一基底上；

多个第一支撑件，各该第一支撑件配置于各该柱状体的侧壁的一第一高度上且围绕各该柱状体的外围，其中围绕于两相邻柱状体的该多个第一支撑件互相连接，且围绕于两相对柱状体的该多个第一支撑件互不接触；以及

多个第二支撑件，各该第二支撑件配置于各该柱状体的侧壁的一第二高度上且围绕各该柱状体的外围，其中围绕于两相邻柱状体的该多个第二支撑件互相连接，围绕于两相对柱状体的该多个第二支撑件互不接触，且该第一高度不等于该第二高度。

16.根据权利要求15所述的半导体元件，其特征在于各该柱状体的高宽比介于10至60之间。

17.根据权利要求15所述的半导体元件，其特征在于该多个第一支撑件与该多个第二支撑件的材料包括三氧化二铝。

18.根据权利要求15所述的半导体元件，其特征在于该柱状体的材料包括多晶硅、钨以及氮化钛。