[发明专利]半导体发光结构以及半导体光源无效
申请号: | 201010527925.3 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN102062312A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 李文鹏;王欢君;汪明;李召阳;李维德 | 申请(专利权)人: | 上海宏源照明电器有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V23/06;F21V29/00;F21V17/10;H01L25/075;H01L33/64;F21Y101/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201802 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 结构 以及 光源 | ||
1.一种半导体发光结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板内设置有导电线路;
多个PN结晶元体,所述多个PN结晶元体贴片于所述基板的一表面上,并通过所述导电线路与驱动电源连接;
其中,所述多个PN结晶元体分成高色温组与低色温组。
2.如权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述PN结晶元体的数量为2~50个。
3.如权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述PN结晶元体的功率为0.05W~1W,驱动电流为50mA~350mA。
4.如权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述PN结晶元体包括:高色温PN结晶元体和低色温PN结晶元体。
5.如权利要求4所述的半导体发光结构,其特征在于,所述高色温PN结晶元体的色温为4500K~10000K,所述低色温PN结晶元体的色温为2000K~4500K。
6.如权利要求4所述的半导体发光结构,其特征在于,所述高色温组由所述高色温PN结晶元体串联或者并联连接组成。
7.如权利要求4所述的半导体发光结构,其特征在于,所述低色温组由所述低色温PN结晶元体串联或者并联连接组成。
8.如权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述基板为平面板,形状为正方形或者长方形或者圆形。
9.如权利要求1所述的半导体发光结构,其特征在于,所述PN结晶元体包括正极和负极,所述基板上具有多个与所述导电线路接通的焊盘,且所述PN结晶元体的正极和负极分别与一个所述焊盘电连接。
10.一种半导体光源,包括灯头、灯座、驱动电源、散热结构件、半导体发光结构和灯罩,所述灯头与所述灯座连接,所述灯座与所述灯罩连接,所述驱动电源、散热结构件和半导体发光结构置于所述灯座内,其特征在于,
所述半导体发光结构包括:基板,所述基板内设置有导电线路;多个PN结晶元体,所述多个PN结晶元体贴片于所述基板的一表面上,并通过所述导电线路与驱动电源连接;其中,所述多个PN结晶元体分成高色温组与低色温组;
所述散热结构件固定在所述基板的另一面上;
所述驱动电源通过一路接线与高色温组电性连接,并通过另一路接线与低色温组电性连接。
11.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述PN结晶元体的数量为2~50个。
12.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述PN结晶元体的功率为0.05W~1W,驱动电流为50mA~350mA。
13.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述PN结晶元体包括:高色温PN结晶元体和低色温PN结晶元体。
14.如权利要求13所述的半导体光源,其特征在于,所述高色温PN结晶元体的色温为4500K~10000K,所述低色温PN结晶元体的色温为2000K~4500K。
15.如权利要求13所述的半导体光源,其特征在于,所述高色温组由所述高色温PN结晶元体串联或者并联连接组成。
16.如权利要求13所述的半导体光源,其特征在于,所述低色温组由所述低色温PN结晶元体串联或者并联连接组成。
17.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述基板为平面板,形状为正方形或者长方形或者圆形。
18.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述PN结晶元体包括正极和负极,所述基板上具有多个与所述导电线路接通的焊盘,且所述PN结晶元体的正极和负极分别与一个所述焊盘电连接。
19.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述散热结构件利用导热硅胶粘结在所述基板的另一面上。
20.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述半导体光源还包括多个外翼片结构,所述外翼片结构设置于所述灯座上。
21.如权利要求10所述的半导体光源,其特征在于,所述灯座内设置卡槽,所述散热结构件通过所述卡槽固定于所述灯座内。
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