[发明专利]太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法

权利要求书

1.一种太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法，包括步骤：

1）采用酸洗的方法，去除硅颗粒表面氧化层和晶界上的金属杂质，然后水 洗，干燥；

2）干燥后的硅颗粒中加入纳米级二氧化硅粉，混合后压片；

3）将压片后的混合物在真空下进行加热保温，所述加热温度为800～ 1100℃。

2.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法， 其特征在于：所述步骤1）中的酸是盐酸、硝酸、硫酸和氢氟酸中的一种或几种 酸的混合液，其中，盐酸、硝酸、硫酸和氢氟酸各自的质量浓度为5～20%；酸 洗的时间为10～600分钟。

3.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法， 其特征在于：所述步骤1）中的水洗是用去离子水或纯净水清洗至pH值为7； 步骤1）中的干燥是在真空度为0.1～10Pa下，干燥1-10小时。

4.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法， 其特征在于：所述步骤1）中的硅颗粒的粒度为小于100目。

5.如权利要求4所述的太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法， 其特征在于：所述步骤1）中的硅颗粒的粒度为400～1000目。

6.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法， 其特征在于：所述步骤2）中的纳米级二氧化硅粉的粒度为1～10万目，纯度为 99.9%以上，二氧化硅粉加入量为硅颗粒重量的0.1%～5%。

7.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法， 其特征在于：所述步骤2）中的压片厚度为1～3mm。

8.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法， 其特征在于：所述步骤3）中的真空，是真空度为0.1～10Pa下的真空；保温时 间为10～30小时。