[发明专利]液晶取向层的制作方法有效
申请号: | 201010528563.X | 申请日: | 2008-03-21 |
公开(公告)号: | CN102033361A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 路林林 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;C23C14/34;C23C14/58;C23C16/455;C23C16/56 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 取向 制作方法 | ||
1.一种液晶取向层的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:
(1)设置沉积仓,在沉积仓的阴极侧设有靶材,在沉积仓的阳极侧设有玻璃基板;
(2)将所述沉积仓抽至真空状态;
(3)向所述沉积仓内注入惰性气体;
(4)对所述玻璃基板和靶材施加直流高压,在电场作用及一定气体压力条件下,靶材溅射出靶材原子即碳原子,沉积在所述玻璃基板上形成取向膜;惰性气体的气体压力为50~6000Pa;
(5)采用与所述玻璃基板具有一定相对角度和斜偏角度的离子枪,对所述玻璃基板表面的取向膜进行离子轰击,在取向膜上形成取向槽,从而形成液晶取向层;所述相对角度为离子轰击形成的取向槽相对玻璃基板水平方向上的偏移角度,所述斜偏角度为预期要求的液晶分子的预倾角度。
2.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法,其特征在于,所述步骤(2)中,所述真空状态的真空度为10-6~10-7Torr。
3.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法,其特征在于,所述步骤(4)中,所述直流高压的电压为1~3Kv。
4.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法,其特征在于,所述步骤(5)中,所述离子枪从距离玻璃基板10~25cm的高度对所述玻璃基板表面的取向膜进行离子轰击。
5.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法,其特征在于,所述步骤(5)中,所述相对角度取决于液晶分子的旋转角度,所述斜偏角度取决于液晶分子的预倾角度。
6.根据权利要求1或5所述的液晶取向层的制作方法,其特征在于,所述步骤(5)中,所述相对角度为40~45°,所述斜偏角度为3~7°。
7.根据权利要求6所述的液晶取向层的制作方法,其特征在于,所述步骤(5)中,所述斜偏角度为4~5°。
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