[发明专利]导电结构和集成电路器件

权利要求书

1.一种导电结构，包括：

接触插塞，延伸穿过衬底上的绝缘层；

第一导电线和第二导电线，在该绝缘层上基本彼此平行地延伸，其中该第一导电线延伸在该接触插塞上，且其中该第二导电线的宽度小于该第二导电线的高度的两倍；以及

连接线，在该绝缘层上，延伸于该第一导电线和该第二导电线之间且电连接该第一导电线和该第二导电线。

2.如权利要求1所述的导电结构，其中该第一导电线和该第二导电线沿第一方向基本彼此平行地延伸，且其中该连接线沿基本垂直于该第一方向的第二方向延伸。

3.如权利要求1所述的导电结构，其中该绝缘层包括模图案，该模图案包括：

第一沟槽和第二沟槽，沿第一方向基本彼此平行地延伸且分别在该第一沟槽和第二沟槽中包括该第一导电线和该第二导电线；以及

第三沟槽，沿第二方向延伸且在该第三沟槽中包括该连接线，其中该第三沟槽延伸穿过该模图案的在该第一沟槽与该第二沟槽之间突出的部分。

4.如权利要求3所述的导电结构，其中该第二沟槽的宽度小于该第二沟槽的深度的两倍。

5.如权利要求4所述的导电结构，其中该第二沟槽的深度小于约2500埃。

6.如权利要求1所述的导电结构，其中该第二导电线的宽度小于约3500埃。

7.如权利要求1所述的导电结构，其中该第二导电线的宽度大于或等于该第一导电线的宽度，且其中该连接线的宽度小于或等于该第二导电线的宽度。

8.如权利要求1所述的导电结构，其中该连接线是第一连接线，且该导电结构还包括：

第二连接线，在该绝缘层上，延伸于该第一导电线和该第二导电线之间且电连接该第一导电线和该第二导电线。

9.如权利要求8所述的导电结构，其中该第一连接线和该第二连接线基本彼此平行地延伸。

10.如权利要求1所述的导电结构，还包括：

第三导电线，在该绝缘层上基本平行于该第一导电线延伸。

11.如权利要求10所述的导电结构，还包括：

第三连接线，在该绝缘层上，延伸于该第一导电线和该第三导电线之间且电连接该第一导电线和该第三导电线。

12.如权利要求1所述的导电结构，其中该第一导电线、该第二导电线以及该连接线包括相同的金属层。

13.如权利要求12所述的导电结构，其中该金属层包括钨。

14.如权利要求1所述的导电结构，还包括：

在该衬底上的多个串联连接的晶体管，

其中该接触插塞延伸穿过该绝缘层到达该衬底，从而电连接该第一导电线与所述多个串联连接的晶体管中的其中一个晶体管的源/漏区。

15.一种集成电路器件，包括：

在衬底上的多个晶体管；

在该多个晶体管上的绝缘层；

接触插塞，延伸穿过该绝缘层从而接触所述多个晶体管之一的源/漏区；

多条导电线，在该绝缘层上基本彼此平行地延伸，其中该多条导电线之一的宽度小于该多条导电线的所述之一的高度的两倍，且其中该多条导电线中的至少一条延伸在该接触插塞上；以及

在该绝缘层上的连接线，延伸于该多条导电线的所述之一与该多条导电线中的另一条之间且将它们电连接，该多条导电线中的所述另一条与该多条导电线的所述之一相邻。

16.如权利要求15所述的器件，还包括：

多条连接线，延伸于该绝缘层上且将该多条导电线中的相邻的导电线彼此电连接，

其中该连接线是该多条连接线中的一条。

17.如权利要求16所述的器件，其中该多条导电线沿第一方向基本彼此平行地延伸，且其中该多条连接线沿基本垂直于该第一方向的第二方向延伸。

18.如权利要求15所述的器件，其中该绝缘层包括模图案，该模图案包括：

多个第一沟槽，沿第一方向基本彼此平行地延伸且分别包括在该多个第一沟槽中的所述多条导电线；以及

多个第二沟槽，沿第二方向延伸且分别包括在该多个第二沟槽中的所述多条连接线，

其中该多个第二沟槽延伸穿过该模图案的在该多个第一沟槽之间突出的部分。