[发明专利]光刻胶、离地剥离的方法和TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种光刻胶，其特征在于，所述光刻胶中包括有发泡剂，所述发泡剂用于当对所述光刻胶进行发泡处理时放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构。

2.根据权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述发泡剂在所述光刻胶中所占的比例为1％至5％。

3.根据权利要求1或2所述的光刻胶，其特征在于，

所述发泡剂包括：

发泡主剂，用于进行所述发泡处理时放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构；

发泡助剂，用于进行所述发泡处理时调整所述发泡主剂的发气量和反应速率。

4.根据权利要求3所述的光刻胶，其特征在于，所述发泡主剂包括偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸二异丙酯或对甲苯磺酰氨基脲。

5.根据权利要求3所述的光刻胶，其特征在于，所述发泡主剂为偶氮二甲酰胺，所述发泡助剂为氧化锌或硬脂酸锌。

6.一种离地剥离的方法，其特征在于，包括：

对基板表面保留的光刻胶进行发泡处理，其中，所述光刻胶采用权利要求1至权利要求5任一项所述的光刻胶，所述发泡处理使所述光刻胶中掺杂的发泡剂放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构；

利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的薄膜进行剥离，在所述基板上形成需要的薄膜图形。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述对基板表面保留的光刻胶进行发泡处理之前，所述方法还包括：

进行薄膜沉积。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述对基板表面保留的光刻胶进行发泡处理之后，所述利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的薄膜进行剥离，在所述基板上形成需要的图形之前，所述方法还包括：

进行薄膜沉积。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对基板表面保留的光刻胶进行发泡处理包括：

对基板表面保留的光刻胶进行光照或加热处理；或者

先对基板表面保留的光刻胶进行光照处理，再对所述基板表面保留的光刻胶进行加热处理。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的薄膜进行剥离包括：

采用将所述基板浸入剥离液中并进行超声振荡的方式对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的薄膜进行剥离；或者

采用向所述基板的表面高压喷淋所述剥离液的方式对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的薄膜进行剥离。

11.一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

在玻璃基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包含栅线和栅电极的图形；

依次沉积栅绝缘层、有源层和源漏金属薄膜，形成包含数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；

沉积钝化层；

其特征在于，所述方法还包括：

在所述钝化层上涂覆光刻胶，所述光刻胶采用权利要求1至权利要求5任一项所述的光刻胶，通过构图工艺处理，形成钝化层过孔，形成钝化层过孔后，像素电极区域的光刻胶完全去除，所述玻璃基板上除像素电极区域和所述钝化层过孔区域之外的区域保留有光刻胶；

沉积像素电极薄膜，在形成有像素电极薄膜的基板上，对所述保留的光刻胶进行发泡处理；或者，对所述保留的光刻胶进行发泡处理后，沉积像素电极薄膜；其中，所述发泡处理使所述光刻胶中掺杂的发泡剂放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构；

利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的像素电极薄膜进行剥离。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述对所述保留的光刻胶进行发泡处理包括：

对所述保留的光刻胶进行光照或加热处理；或者

先对所述保留的光刻胶进行光照处理，再对所述保留的光刻胶进行加热处理。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的像素电极薄膜进行剥离包括：

采用将所述玻璃基板浸入剥离液中并进行超声振荡的方式对进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的像素电极薄膜进行剥离；或者

采用向所述玻璃基板的表面高压喷淋所述剥离液的方式对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的像素电极薄膜进行剥离。