[发明专利]光刻胶、离地剥离的方法和TFT阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种光刻胶、离地剥离的方法和TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

离地剥离(Lift Off)技术是用光刻胶(Photoresist，PR)掩膜进行图形制备的关键技术。Lift off技术是指，在光刻胶的剥离过程中，将光刻胶和光刻胶上所沉积薄膜一起剥离而不撕裂或损坏基板上的薄膜图形的剥离技术，在半导体微电子等领域中具有广泛的应用。

以TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)为例，TFT LCD由TFT阵列基板和彩膜基板对盒而形成，阵列基板和彩膜基板之间滴注有液晶。在TFT阵列基板的制作过程中，形成ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)像素电极时，通常需要采用Lift off技术。具体的，在玻璃基板上沉积钝化层，形成包含钝化层过孔的钝化层图形后，保留非像素区域的光刻胶并沉积ITO像素电极层；通过Lift off工艺去除保留的光刻胶以及光刻胶上的ITO层，形成完整的像素电极图形。

现有的Lift off工艺，通常首先对基板上保留的光刻胶加热，使光刻胶收缩，进而造成光刻胶上附着的薄膜塌陷及龟裂以使薄膜下的光刻胶露出，然后采用剥离液浸泡超声或者是高压剥离液喷淋的方式，使露出的光刻胶与剥离液相接触，在剥离液的作用下，光刻胶被剥离的同时，也将其上附着的薄膜带走，达到Lift off的效果。然而，光刻胶的收缩程度有限，因此，由于薄膜塌陷及龟裂而露出的光刻胶较少，即与剥离液接触的光刻胶较少，因此，光刻胶与剥离液的作用力不足，剥离的效果较差。

发明内容

本发明实施例的主要目的在于，提供一种光刻胶、Lift Off的方法和TFT阵列基板的制作方法，能够有效优化剥离效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种光刻胶，所述光刻胶中掺杂有发泡剂，所述发泡剂用于当对所述光刻胶进行发泡处理时放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构。

一种Lift Off的方法，包括：

对基板表面保留的光刻胶进行发泡处理，其中，所述光刻胶中掺杂有发泡剂，所述发泡处理使所述光刻胶中掺杂的发泡剂放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构；

利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的薄膜进行剥离，在所述基板上形成需要的图形。

一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

在玻璃基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包含栅线和栅电极的图形；

依次沉积栅绝缘层、有源层和源漏金属薄膜，形成包含数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；

沉积钝化层；

在所述钝化层上涂覆光刻胶，所述光刻胶中掺杂有发泡剂，通过构图工艺处理，形成钝化层过孔，形成钝化层过孔后，像素电极区域的光刻胶完全去除，所述玻璃基板上除像素电极区域和所述钝化层过孔区域之外的区域保留有光刻胶；

沉积像素电极薄膜，在形成有像素电极薄膜的基板上，对所述保留的光刻胶进行发泡处理；或者，对所述保留的光刻胶进行发泡处理后，沉积像素电极薄膜；其中，所述发泡处理使所述光刻胶中掺杂的发泡剂放气，促使所述光刻胶形成多孔膨胀结构；

利用剥离液对所述进行发泡处理的光刻胶以及附着其上的像素电极薄膜进行剥离。

采用上述技术方案后，本发明实施例提供的光刻胶、Lift Off的方法和TFT阵列基板的制作方法，通过在光刻胶中掺杂发泡剂，通过发泡剂的放气，使光刻胶形成多孔膨胀结构，光刻胶的这种结构，一方面薄膜难以附着其上，另一方面能够迫使光刻胶上附着的薄膜在光刻胶的膨胀过程中发生断裂，这样，利用剥离液进行剥离时，扩大了光刻胶与剥离液的接触面积，进而增大了光刻胶与剥离液的作用力，光刻胶之上附着的薄膜更易于随光刻胶一起剥离，且较好地避免对光刻胶以外区域的薄膜图形的影响，有效优化了剥离效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例的Lift Off的方法的工艺流程图；

图2为本发明实施例的TFT阵列基板的制作方法的工艺流程图；