[发明专利]发光装置以及电子设备无效
申请号: | 201010531469.X | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102064184A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 小田敏宏 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,
具备:
多个发光元件,该发光元件具有第1电极层、第2电极层、以及在上述第1和第2电极层之间配置的发光层;
将上述发光层发出的光朝向该发光层反射的反射层;
半透明半反射层,其夹着上述发光层配置在与上述反射层相反的相反侧,将上述发光层发出的光的一部分朝向该发光层反射,并且使另一部分透过,
上述发光元件包含发红光的红色发光元件、发绿光的绿色发光元件以及发蓝光的蓝色发光元件,
从与上述红色发光元件相关的上述反射层到上述半透明半反射层的与上述反射层相对向的界面的光学距离,基于由式(i)算出的dR确定,
dR=((φDR+φUR)/4π)·λR …(i)
其中,
λR为红色光波长,
φDR为从上述发光层侧向上述反射层行进的波长λR的光被该反射层反射时的相位变化,
φUR为从上述发光层侧向上述半透明半反射层行进的波长λR的光被该半透明半反射层反射时的相位变化。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
从与上述绿色发光元件以及上述蓝色发光元件各自相关的上述反射层到上述半透明半反射层的与上述反射层相对向的界面的光学距离基于由式(ii)算出的d确定,
d=((2πm+φD+φD)/4π)·λ…(ii)
其中,
λ是作为谐振对象设定的波长,
φD是从上述发光层侧向上述反射层行进的波长λ的光被该反射层反射时的相位变化,
φU为从上述发光层侧向上述半透明半反射层行进的波长λ的光被该半透明半反射层反射时的相位变化,
m为正整数。
3.一种发光装置,其特征在于,
具备:
多个发光元件,该发光元件具有第1电极层、第2电极层、以及在上述第1和第2电极层之间配置的发光层;
将从上述发光层发出的光朝向该发光层反射的反射层;
半透明半反射层,其夹着上述发光层配置在与上述反射层相反的相反侧,将上述发光层发出的光的一部分朝向该发光层反射,并且使另一部分透过,
上述发光元件包含发红光的红色发光元件、发绿光的绿色发光元件以及发蓝光的蓝色发光元件,
从与上述蓝色发光元件相关的上述反射层到上述半透明半反射层的与上述反射层相对向的界面的光学距离,基于由下述式(iii)算出的d确定,并且,
从与上述红色发光元件相关的上述反射层到上述半透明半反射层的与上述反射层相对向的界面的光学距离,确定为比上述d小,
d=((2π+φD+φU)/4π)·λ…(iii)
其中,
λ是作为谐振对象设定的波长,
φD是从上述发光层侧向上述反射层行进的波长λ的光被该反射层反射时的相位变化,
φU为从上述发光层侧向上述半透明半反射层行进的波长λ的光被该半透明半反射层反射时的相位变化。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
还在上述第1和第2电极层之间配置电子输送层,
该电子输送层以及上述第2电极层,
对于上述红色发光元件、上述绿色发光元件以及上述蓝色发光元件全部通用地形成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述半透明半反射层包含上述第2电极层而作为阴极发挥作用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010531469.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池
- 下一篇:金属罐用顶板及其修补方法并修补装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的