[发明专利]发光装置以及电子设备无效
申请号: | 201010531469.X | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102064184A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 小田敏宏 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及包含有机EL(electro luminescent:场致发光)元件等的发光装置以及电子设备。
背景技术
作为薄型轻量的发光源,OLED(organic light emitting diode:有机发光二极管)即有机EL元件受到关注,开发出了具有多个有机EL元件的图像显示装置。有机EL元件具有通过像素电极和对向电极夹持以有机材料形成的至少一层的有机薄膜的构造。
在有机EL元件的领域中,公知有利用放大的干涉即谐振来加强发射光中的特定波长的光的技术。为了产生谐振现象,利用反射层和半透明半反射层(“半透明”是为了取出光)。该技术能够提高发光色的色纯度,或者提高放出的光相对于发光的效率。
作为这种图像显示装置,例如专利文献1和2公开的方案。
专利文献1:JP特许第2797883号公报
专利文献2:JP特许第3555759号公报
发明内容
但是,这些专利文献1和2技术或者基本上利用光谐振器来加强特定波长的光的技术一般存在以下问题。
即采用专利文献1等的技术,确实能够通过「微小光谐振器」的作用加强特定波长的光(专利文献1的〔0015〕〔0018〕等),但是这样得到的优点的缺点的程度依存于所欲加强的色的不同而不同。例如利用光谐振器分别对红色、绿色和蓝色3色光进行加强的场合,对于其中的绿色光和蓝色光,作为上述优点的提高光取出效率的效果和提高色纯度的效果比较容易获得,作为上述缺点的视场角特性的恶化等并不明显。但是,对于红色光却不是这样。即虽然能够预料一定程度的光取出效率提高和色纯度提高,但是较之强烈的视场角特性恶化使得就整体效果而言关于红色光产生谐振现象的意义不如绿色光和蓝色光的场合。
本发明目的提供能够解决上述课题的至少一部分的发光装置的电子设备。
本发明第1方面的发光装置,为了解决上述课题,具备:多个发光元件,该发光元件具有第1电极层、第2电极层、以及在上述第1和第2电极层之间配置的发光层;将上述发光层发出的光朝向该发光层反射的反射层;半透明半反射层,其夹着上述发光层配置在与上述反射层相反的相反侧,将上述发光层发出的光的一部分朝向该发光层反射,并且使另一部分透过,上述发光元件包含发红光的红色发光元件、发绿光的绿色发光元件以及发蓝光的蓝色发光元件,从与上述红色发光元件相关的上述反射层到上述半透明半反射层的与上述反射层相对向的界面的光学距离,基于由式(i)算出的dR确定。
dR=((φDR+φUR)/4π)·λR…(i)
其中,λR为红色光波长,φDR为从上述发光层侧向上述反射层行进的波长λR的光被该反射层反射时的相位变化,φUR为从上述发光层侧向上述半透明半反射层行进的波长λR的光被该半透明半反射层反射时的相位变化。
根据本发明,关于发红光的发光元件,不构成满足后述的(ii)式的意义上的光谐振器。但是,上述(i)式与该(ii)式中的m为0的情况一致,关于该发光元件在这种意义上一种谐振条件成立。因此,根据本发明,首先虽然说不是成立完全的谐振条件,但是能够获得一定的光取出效率提高的效果或色纯度提高的效果。此外,根据本发明,对于发红光的发光元件,毕竟由于谐振条件不成立的情况没有改变,视场角特性得到改善。
另外,本发明所言“红色光波长”并非仅意义1个值。典型地如后述实施方式所述,设定λR=610nm的情况为优选一例,除此以外也可以设定λR=600nm或者λR=620nm等。
在本发明的发光装置中,也可以构成为从与上述绿色发光元件以及上述蓝色发光元件各自相关的上述反射层到上述半透明半反射层的与上述反射层相对向的界面的光学距离基于由式(ii)算出的d确定。
d=((2πm+φD+φU)/4π)·λ…(ii)
其中,λ是作为谐振对象设定的波长,φD是从上述发光层侧向上述反射层行进的波长λ的光被该反射层反射时的相位变化,φU为从上述发光层侧向上述半透明半反射层行进的波长λ的光被该半透明半反射层反射时的相位变化,m为正整数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的