[发明专利]二进制内容可寻址存储器有效
| 申请号： | 201010531699.6 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102054528A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 洪祥熏;韩昌勋;蔡玟娥 | 申请（专利权）人： | 庆熙大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G11C15/04 | 分类号： | G11C15/04 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二进制 内容 寻址 存储器 | ||
1.一种二进制内容可寻址存储器(content addressable memory，CAM)，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管、比较电路部；该第一晶体管通过其关口与字线(WL)连接而被激活控制；该第二晶体管及第三晶体管在第一晶体管被激活时储存通过第一位线(BL)输入的储存数据；该比较电路部对储存在第二晶体管及第三晶体管的储存数据及通过第一位线(BL)及第二位线(BL/)输入的比较数据进行比较而输出比较值。
2.如权利要求1所述的二进制内容可寻址存储器，其特征在于，所述比较电路部包括匹配线和第四晶体管；该匹配线根据比较信号而预充电；该第四晶体管在匹配线预充电后通过第一及第二位线(BL，BL/)输入的比较数据和储存数据而被激活控制并向匹配线输出比较值。
3.如权利要求1所述的二进制内容可寻址存储器，其特征在于，在所述二进制内容可寻址存储器中第一晶体管、第三晶体管、第四晶体管是NMOS晶体管，第二晶体管是PMOS晶体管。
4.如权利要求3所述的二进制内容可寻址存储器，其特征在于，所述第一晶体管的源极为所述第一位线，所述第一晶体管的漏极为所述第二晶体管和第三晶体管的关口，所述第一晶体管的关口连接于字线。
5.如权利要求3所述的二进制内容可寻址存储器，其特征在于，所述第二PMOS晶体管的源极、漏极分别连接于第一位线，所述第三NMOS晶体管的漏极；所述第三NMOS晶体管的源连接于所述第二位线；所述第四NMOS晶体管的漏极连接于匹配线，所述第四NMOS晶体管的关口连接于连接于所述第二PMOS晶体管和第三NMOS晶体管的之间的连接节点，所述第四NMOS晶体管的源处于接地状态。
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