[发明专利]基板处理装置及其真空形成方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

多个工作线，其分别包括设置于真空腔体与空气之间的第1预真空腔体及第2预真空腔体；

泵部，用于形成该第1预真空腔体及第2预真空腔体内部的真空状态；

平衡阀，其设置于该第1预真空腔体与第2预真空腔体之间，用于均化该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空度。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该泵部包括分别与该第1预真空腔体与该第2预真空腔体结合的第1泵体及第2泵体。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该泵部包括与该第1预真空腔体及该第2预真空腔体结合的公共泵体。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括设置于该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空箱。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该第1预真空腔体与该第2预真空腔体分别结合于多个该工作线的末端。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，该第1预真空腔体的与该第2预真空腔体连接的侧壁上的贯通孔内壁倾斜形成，以分散流入该第1预真空腔体的气体的压力。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，该第1预真空腔体包括一抗流动构件，该抗流动构件结合于该第1预真空腔体与该第2预真空腔体连接的侧壁上的贯通孔前方，以分散流入该第1预真空腔体的气体的压力。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，该抗流动构件为设置于该贯通孔前方的板形构件。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，该抗流动构件的一面形成有流动孔，用于该气体流动。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，该抗流动构件包括多个该板形构件。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还包括一过滤部，用于采集在该第1预真空腔体和第2预真空腔体之间流动的气体中的颗粒。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，该过滤部是通过给该颗粒提供磁力而采集该颗粒。

13.一种基板处理装置的真空形成方法，该基板处理装置包括：多个工作线，其分别包括设置于真空腔体与空气之间的第1预真空腔体及第2预真空腔体；泵部，用于形成该第1预真空腔体及第2预真空腔体内部的真空状态，其特征在于，该真空形成方法包括：

均化步骤，对真空状态的该第1预真空腔体和大气压状态的该第2预真空腔体之间的真空度进行均化；

大气压状态形成步骤，在该第1预真空腔体内部形成大气压状态；及，

真空状态形成步骤，利用该泵部在该第2预真空腔体内部形成真空状态。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置的真空形成方法，其特征在于，该基板处理装置还包括设置于该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的第1真空箱，在该均化步骤之前，还包括对该第1真空箱和该第2预真空腔体之间的真空度进行均化的步骤。

15.根据权利要求13所述的基板处理装置的真空形成方法，其特征在于，该基板处理装置还包括分别于该第1预真空腔体及该第2预真空腔体结合的第2-1真空箱及第2-2真空箱，在该均化步骤之前，该真空形成方法还包括对该第2-2真空箱和该第2预真空腔体之间的真空度进行均化的步骤。

16.根据权利要求13所述的基板处理装置的真空形成方法，其特征在于，在该均化步骤之前，还包括该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空度之差的测量步骤，当该真空度之差大于设定值时，执行该均化步骤。