[发明专利]基板处理装置及其真空形成方法

说明书

技术领域

本发明提供一种基板处理装置及其真空形成方法(Apparatus forProcessing Substrate and Method for Producing Vacuum thereof)。

背景技术

在如溅镀的真空状态下进行被镀物处理的工序中，需要投入维持真空状态的真空腔体和被蒸镀物，并且还可能需要反复真空和大气压状态的预真空(Loadlock)腔体。

此时，缩短预真空腔体的真空状态形成时间，即，抽气时间的缩短与整体工序时间的缩短有直接关联，因此，通过缩短该时间可以缩短整个工序所需的时间。

但是，为了缩短真空状态形成时间，需要更多的抽气装置，这会导致费用增加，因此实现起来有些困难。

并且，预真空腔体的真空及大气压状态的快速转换会导致预真空腔体内部压力的急速变化，在预真空腔体内部形成强气流，可能会导致被蒸镀物的损坏。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于提供一种基板处理装置及其真空形成方法，以缩短预真空腔体的真空形成时间。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种基板处理装置，其特点在于，包括：多个工作线，其分别包括设置于真空腔体与空气之间的第1预真空腔体及第2预真空腔体；泵部，用于形成该第1预真空腔体及第2预真空腔体内部的真空状态；平衡阀，其设置于该第1预真空腔体与第2预真空腔体之间，用于均化该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空度。

上述泵部包括分别与该第1预真空腔体与该第2预真空腔体结合的第1泵体及第2泵体，也可以包括与该第1预真空腔体及该第2预真空腔体结合的公共泵体。

上述基板处理装置还可以包括设置于该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空箱，该第1预真空腔体与该第2预真空腔体可以分别结合于多个该工作线的末端。

在上述基板处理装置中的任一项基板处理装置，上述第1预真空腔体的与该第2预真空腔体连接的侧壁上的贯通孔的内壁倾斜形成，以分散流入该第1预真空腔体的气体的压力。

基板处理装置的上述第1预真空腔体还包括一抗流动构件，该抗流动构件结合于该第1预真空腔体与该第2预真空腔体连接的侧壁上的贯通孔前方，以分散流入该第1预真空腔体的气体的压力。

此时，该抗流动构件为设置于该贯通孔前方的板形构件，该抗流动构件的一面形成有流动孔，以帮助该气体流动。并且，该抗流动构件包括多个该板形构件。

基板处理装置还包括一过滤部，用于采集在该第1预真空腔体和第2预真空腔体之间流动的气体中的颗粒。

并且，该过滤部是通过给该颗粒提供磁力而采集该颗粒。

为了解决上述技术问题，本发明还提供一种基板处理装置的真空形成方法，该基板处理装置包括：多个工作线，其分别包括设置于真空腔体与空气之间的第1预真空腔体及第2预真空腔体；泵部，用于形成该第1预真空腔体及第2预真空腔体内部的真空状态，其特点在于，该真空形成方法包括：均化步骤，对真空状态的该第1预真空腔体和大气压状态的该第2预真空腔体之间的真空度进行均化；大气压状态形成步骤，在该第1预真空腔体内部形成大气压状态；及，真空状态形成步骤，利用该泵部在该第2预真空腔体内部形成真空状态。

该基板处理装置还包括设置于该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的第1真空箱，该真空形成方法在该均化步骤之前，还包括对该第1真空箱和该第2预真空腔体之间的真空度进行均化的步骤。

该基板处理装置还包括分别于该第1预真空腔体及该第2预真空腔体结合的第2-1真空箱及第2-2真空箱，该真空形成方法在该均化步骤之前，该真空形成方法还包括对该第2-2真空箱和该第2预真空腔体之间的真空度进行均化的步骤。

该基板处理装置的真空形成方法在该均化步骤之前，还包括该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空度之差的测量步骤，当该真空度之差大于设定值时，执行该均化步骤。

根据本发明的实施例，可以有效缩短预真空腔体的真空形成时间，因此，可以缩短整体工序时间，并可以防止在预真空腔体的真空及大气压状态转换过程中的基板的损坏。

附图说明

图1为本发明一实施例中基板处理装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例中基板处理装置的第1预真空腔体的平面示意图；

图3为本发明一实施例中基板处理装置的过滤部的结构示意图；

图4为本发明另一实施例中基板处理装置的结构示意图；

图5为本发明又一实施例中基板处理装置的结构示意图；

图6为本发明又一实施例中基板处理装置的结构示意图。

其中，附图标记：