[发明专利]射频噪声去嵌入方法

权利要求书

1.一种射频噪声去嵌入方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅片上形成一被测试器件结构、一开路去嵌测试结构、一直通去嵌测试结构；所述被测试器件结构包括一射频器件、一信号输入压焊块、一信号输出压焊块、四个接地压焊块，所述信号输入压焊块和所述射频器件的输入端通过金属线一相连，所述信号输出压焊块和所述射频器件的输出端通过金属线二相连，四个所述接地压焊块通过金属线三互相连接并和所述射频器件的接地端连接；所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块排列在直线一上，直线二和直线三对称的位于所述直线一的两侧且都和所述直线一平行，在所述直线二和所述直线三上各排列两个所述接地压焊块，所述直线二上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列、所述直线三上两个所述接地压焊块分别和所述信号输入压焊块、所述信号输出压焊块在垂直所述直线一的方向上对齐排列；

所述开路去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件、所述金属线一以及所述金属线二；

所述直通去嵌测试结构是在所述被测试器件结构的基础上去除了所述射频器件，且所述信号输入压焊块和所述信号输出压焊块之间通过金属线四相连、所述直线二上的两个所述接地压焊块通过金属线五相连、所述直线三上的两个所述接地压焊块通过金属线六相连、所述直线二上的所述接地压焊块和所述直线三上的所述接地压焊块不连接；所述金属线四的宽度为所述金属线一或所述金属线二的宽度的0.8倍～1.2倍；

步骤二、分别测试得到所述被测试器件结构的散射参数一、所述开路去嵌测试结构的散射参数二、所述直通去嵌测试结构的散射参数三、所述被测试器件结构的噪声参数；所述被测试器件结构的噪声参数包括最佳噪声系数一、最佳源阻抗一、等效输入阻抗一；

步骤三、利用所述散射参数一、所述散射参数二、所述散射参数三以及所述被测试器件结构的噪声参数进行去嵌入计算得到所述射频器件的噪声参数，所述射频器件的噪声参数包括最佳噪声系数二、最佳源阻抗二、等效输入阻抗二。

2.如权利要求1所述射频噪声去嵌入方法，其特征在于：步骤三中所述去嵌计算包括如下步骤：

步骤1、将所述散射参数二转换成所述开路去嵌测试结构的导纳参数二，并将所述导纳参数二转换成所述开路去嵌测试结构的ABCD参数二；

步骤2、将所述散射参数三转换成所述直通去嵌测试结构的导纳参数三；将所述导纳参数三减去所述导纳参数二得到所述直通去嵌测试结构的金属线四的导纳参数四；将所述导纳参数四转换成所述直通去嵌测试结构的金属线四的散射参数四；

步骤3、根据所述金属线四的长度和所述散射参数四得到所述金属线四的归一化特征阻抗和传播常数；

步骤4、根据所述化特征阻抗、所述传播常数、所述金属线一的长度、所述金属线二的长度分别计算出所述被测试器件结构的所述金属线一的ABCD参数三、所述金属线二的ABCD参数四；

步骤5、结合所述ABCD参数二和所述ABCD参数三得到所述被测试器件结构的输入端ABCD参数；结合所述ABCD参数二和所述ABCD参数四得到所述被测试器件结构的输出端ABCD参数；

步骤6、将所述散射参数一转换成所述被测试器件结构的ABCD参数一；由所述ABCD参数一、所述输入端ABCD参数、所述输出端ABCD参数得到所述被测试器件结构的射频器件的ABCD参数五；由所述最佳噪声系数一、所述最佳源阻抗一、所述等效输入阻抗一计算得到所述被测试器件结构的相关性矩阵一；由所述输入端ABCD参数得到所述被测试器件结构的输入端的相关性矩阵二、由所述输出端ABCD参数得到所述被测试器件结构的输出端的相关性矩阵三；

步骤7、根据所述输入端ABCD参数、所述ABCD参数五、所述相关性矩阵一、所述相关性矩阵二、所述相关性矩阵三得到所述射频器件的所述最佳噪声系数二、所述最佳源阻抗二、所述等效输入阻抗二。

3.如权利要求1所述射频噪声去嵌入方法，其特征在于：所述金属线四的宽度等于所述金属线一或所述金属线二的宽度。