[发明专利]射频噪声去嵌入方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种射频噪声去嵌入方法。

背景技术

对于RF噪声测试，测试结构中的压焊块(Pad)及连线的寄生电阻、电容、电感会对测试结果造成比较大的影响。为了得到精确的被测试器件结构(Device Under Test，DUT)的噪声参数，需要将这些寄生效应去除，即需要去嵌入(De-embedding)。现有技术中应用最多的是如文献《C.H.CHEN and M.J.DEEN，”High frequency Noise of Mosfets I Modeling“.Solid-state Electronics Vol.42，No.11，pp.2069-2081，1998》中所述的开路去嵌入(Open de-embedding)方法；及如文献《K.Aufinger andJ.Bock，”A Straightforward Noise De-embedding Method and ItsApplication to High-Speed Silicon Bipolar Transistors”，Proceedings ofESSDERC’96，pp.957-960》中所述的开路-短路去嵌入(Open-Shortde-embedding方法。其中所述开路去嵌入方法只能去除Pad寄生电容，所述开路-短路去嵌入方法相对于开路去嵌入方法有所提高，不但能去除Pad寄生电容，还能去除金属连线的寄生电阻及电感，但是却忽略了寄生电容效应对噪声的影响，随着器件尺寸的不断缩小及应用频率的不断提高，金属连线的寄生电容的效应会显得非常重要，为去除这一效应，可使用如文献《C.H.CHEN and M.J.DEEN，”A General Procedure for High-Frequency NoiseParameter De-embedding of MOSFETs by Taking the Capacitive Effects of MetalInterconnection into Account”，IEEE，Conference on Microelectronic TestStructures，Vol 14，March 2001》所述的开路-直通去嵌入(Open-Thrude-embedding)方法。

如图1所示，为现有开路-直通去嵌入方法的去嵌结构示意图，包括一被测试器件结构1、一开路去嵌测试结构2、第一直通去嵌测试结构3A和第二直通去嵌测试结构3B。所述被测试器件结构1包括一射频器件11、一信号输入压焊块S1、一信号输出压焊块S2、四个接地压焊块G1、G2、G3、G4。所述信号输入压焊块S1和所述射频器件11的输入端通过金属线一12相连，所述信号输出压焊块S2和所述射频器件的输出端通过金属线二13相连，四个所述接地压焊块通过金属线三14互相连接并和所述射频器件的接地端连接；所述信号输入压焊块S1、所述信号输出压焊块S2排列在直线一上，直线二和直线三对称的位于所述直线一的两侧且都和所述直线一平行，在所述直线二和所述直线三上各排列两个所述接地压焊块，所述直线二上两个所述接地压焊块G1、G2分别和所述信号输入压焊块S1、所述信号输出压焊块S2在垂直所述直线一的方向上对齐排列、所述直线三上两个所述接地压焊块G1、G2分别和所述信号输入压焊块S1、所述信号输出压焊块S2在垂直所述直线一的方向上对齐排列。

所述开路去嵌测试结构2是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件11、所述金属线一12以及所述金属线二13。

所述第一直通去嵌测试结构3A是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件11，且所述信号输入压焊块S1和所述信号输出压焊块S2之间通过金属线12a相连，所述金属线12a和所述金属线一12的长度和宽度都相同。所述接地压焊块G1、G2通过金属线相连、所述接地压焊块G3、G4通过金属线相连、所述直线二上的所述接地压焊块G1、G2和所述直线三上的所述接地压焊块G3、G4不连接。

所述第二直通去嵌测试结构3B是在所述被测试器件结构1的基础上去除了所述射频器件11，且所述信号输入压焊块S1和所述信号输出压焊块S2之间通过金属线13a相连，所述金属线13a和所述金属线二13的长度和宽度都相同。所述接地压焊块G1、G2通过金属线相连、所述接地压焊块G3、G4通过金属线相连、所述直线二上的所述接地压焊块G1、G2和所述直线三上的所述接地压焊块G3、G4不连接。