[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一基板；

一半导体层，配置于该基板上；

一图案化掺杂半导体层，配置于该半导体层的相对两侧上方；

一源极与一漏极，配置于该图案化掺杂半导体层上且位于该半导体层的相对两侧上方，其中被该源极与该漏极覆盖的部分该半导体层具有一第一厚度，以及位于该源极与该漏极之间且未被该源极与该漏极覆盖的部分该半导体层具有一第二厚度，该第二厚度介于200埃至800埃；

一栅绝缘层，配置于该源极与该漏极以及部分该半导体层上；以及

一栅极，配置于该栅绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二厚度介于300埃至400埃。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层包括一多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该图案化掺杂半导体层包括一N型掺杂非晶硅层。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该图案化掺杂半导体层包括一第一掺杂半导体层与一第二掺杂半导体层，该第一掺杂半导体层位于该半导体层与该源极之间且包覆该半导体层的一第一侧表面，该第二掺杂半导体层位于该半导体层与该漏极之间且包覆该半导体层的一第二侧表面，其中该第一侧表面与该第二侧表面位于该半导体层的相对两侧。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一掺杂半导体层的内侧边缘与该源极的内侧边缘对齐，以及该第二掺杂半导体层的内侧边缘与该漏极的内侧边缘对齐。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一掺杂半导体层的外侧边缘与该源极的外侧边缘对齐，以及该第二掺杂半导体层的外侧边缘与该漏极的外侧边缘对齐。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一厚度大体上大于该第二厚度。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一厚度大体上等于该第二厚度。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一半导体层，该半导体层具有一第一厚度；

于该半导体层上形成一图案化掺杂半导体层；

于该图案化掺杂半导体层上形成一源极与一漏极，该源极与该漏极位于该半导体层的相对两侧上方，其中位于该源极与该漏极之间且未被该源极与该漏极覆盖的该半导体层具有一第二厚度，该第二厚度介于200埃至800埃；

于该源极与该漏极上形成一栅绝缘层，以覆盖该源极与该漏极以及部分该半导体层；以及

于该栅绝缘层上形成一栅极。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第二厚度介于300埃至400埃。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一厚度大体上大于该第二厚度。

13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该图案化掺杂半导体层包括N型掺质。

14.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该图案化掺杂半导体层的形成方法包括沉积法。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该图案化掺杂半导体层的形成方法包括化学气相沉积法。

16.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该图案化掺杂半导体层的形成方法包括：

于该半导体层上形成一半导体材料层；

进行一掺杂工艺，将该半导体材料层转变成一掺杂半导体材料层；以及

移除部分该掺杂半导体材料层，以于该半导体层的相对两侧上方形成该图案化掺杂半导体层。

17.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该图案化掺杂半导体层的形成方法以及该源极与该漏极的形成方法包括：

于该半导体层上依序形成一掺杂半导体材料层与一导体层；

于该导体层上形成一图案化掩膜层；以及

以该图案化掩膜层为掩膜，移除部分该导体层与部分该掺杂半导体材料层，以形成该源极与该漏极以及该图案化掺杂半导体层，且使未被该源极与该漏极覆盖的该半导体层具有该第二厚度。