[发明专利]一种改善NFET性能的应力层的形成方法无效
| 申请号： | 201010534160.6 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468170A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张彬;任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 nfet 性能 应力 形成 方法 | ||
1.一种改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供包含NFET的衬底；
在所述NFET表面形成氧化硅层；
对所述氧化硅层进行氮化处理，以形成隔绝层；
在所述隔绝层表面形成应力层。
2.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层的形成方法为化学气相沉积法。
3.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述氮化处理步骤包括，利用含有氮的等离子体轰击所述氧化硅层。
5.如权利要求4所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述等离子体轰击时间为10秒～120秒。
6.如权利要求4所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述等离子体轰击的功率为50W～200W。
7.如权利要求4所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述含有氮的等离子体为N2，N2O，NH3或N2H2。
8.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述隔绝层的材料为氮氧化硅。
9.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述隔绝层的厚度为
10.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅。
11.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述应力层的厚度为
12.如权利要求1所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，所述应力层的形成步骤包括，利用化学气相沉积法形成氮化硅层；对所述氮化硅层进行退火工艺。
13.如权利要求12所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，对所述氮化硅层进行退火工艺的方法包括高温退火和激光退火。
14.如权利要求12所述的改善NFET性能的应力层的形成方法，其特征在于，对所述氧化硅层进行退火工艺的温度为900～1100℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
