[发明专利]一种改善应力层应力作用的方法无效
| 申请号： | 201010534190.7 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468171A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 荆学珍;向阳辉;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 应力 作用 方法 | ||
1.一种改善应力层应力作用的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底正面形成有栅极、栅极侧壁隔离层，在所述衬底的背面形成有沉积氮化硅层；
对所述栅极进行掺杂离子注入工艺；
在所述衬底正面上淀积形成氧化硅层；
去除位于所述衬底背面的沉积氮化硅层；
在所述氧化硅层表面形成应力层；
进行高温退火工艺。
2.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述栅极侧壁隔离层通过炉管加热沉积法形成，所述沉积氮化硅层与所述栅极侧壁隔离层同时形成。
3.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述掺杂离子注入工艺的掺杂离子为四氟化锗。
4.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述掺杂离子注入工艺的掺杂离子注入能量为10～50KeV。
5.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述氧化硅层的形成方法为化学气相沉积法。
6.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为
7.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述沉积氮化硅层采用湿法刻蚀法去除。
8.如权利要求7所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀法为磷酸浸泡去除所述沉积氮化硅层。
9.如权利要求8所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述磷酸的质量浓度为70％～90％。
10.如权利要求8所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述磷酸的温度150～200℃。
11.如权利要求8所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，浸泡时间为1～10min。
12.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅。
13.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述应力层的厚度为
14.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述应力层采用化学气相沉积法形成。
15.如权利要求1所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述高温退火工艺的方法包括尖峰退火和激光退火。
16.如权利要求15所述的改善应力层应力作用的方法，其特征在于，所述高温退火工艺的温度为900～1100℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
