[发明专利]半导体裸片及形成导电元件的方法

权利要求书

1.一种半导体裸片，包括：

一基底；

一接合垫，位于该基底上方，该接合垫具有一第一宽度；

一聚酰亚胺层，位于该基底和该接合垫上方，该聚酰亚胺层于该接合垫上方具有一第一开口，该第一开口有一第二宽度；

一硅基保护层，位于该聚酰亚胺层上，该硅基保护层于该接合垫上方具有一第二开口，该第二开口有一第三宽度，其中该第一开口和该第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分该接合垫；

一凸块下金属化层，位于该组合开口的侧壁上方，且位于该硅基保护层上，且接触该接合垫的暴露部分；及

一导电元件，位于该凸块下金属化层上，其中该硅基保护层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或碳化硅，其中该第三宽度和该第一宽度的比例为0.15～0.6，且该第二宽度小于该第三宽度。

2.如权利要求1所述的半导体裸片，其中该第二宽度和该第一宽度的比例为0.15～0.6。

3.如权利要求1所述的半导体裸片，其中该导电元件包括焊锡凸块和铜柱。

4.一种半导体裸片，包括：

一基底；

一低介电常数介电层，位于该基底上方；

一接合垫，位于该低介电常数介电层上方，该接合垫具有第一宽度；

一聚酰亚胺层，位于该基底和该接合垫上方，该聚酰亚胺层包括具有第二宽度的第一开口；

一硅基保护层，直接位于该聚酰亚胺层上方，该硅基保护层包括一具有第三宽度的第二开口，其中该第一开口和该第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分该接合垫，其中该第三宽度和该第一宽度的比例为0.15～0.6，且该第二宽度小于该第三宽度；

一凸块下金属化层，衬垫该组合开口的侧壁，位于该硅基保护层的顶部部分上，且位于该硅基保护层上，且接触该接合垫的暴露部分；及

一导电元件，位于该凸块下金属化层上，其中该硅基保护层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或碳化硅。

5.如权利要求4所述的半导体裸片，其中该第二宽度和该第一宽度的比例为0.15～0.6。

6.一种形成导电元件的方法，包括：

形成一接合垫于一基底上方，该接合垫具有一第一宽度；

形成一聚酰亚胺层于该基底和该接合垫上方，该聚酰亚胺层于该接合垫上方具有一第一开口，该第一开口有一第二宽度；

形成一硅基保护层于该聚酰亚胺层上，该硅基保护层于该接合垫上方具有一第二开口，该第二开口有一第三宽度，其中该第一开口和该第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分该接合垫，其中该第三宽度和该第一宽度的比例为0.15～0.6，且该第二宽度小于该第三宽度；

形成一凸块下金属化层于该组合开口的侧壁上方，且接触该接合垫的暴露部分，其中形成该硅基保护层是在形成该凸块下金属化层之前进行；及

形成一导电元件于该凸块下金属化层上，其中该硅基保护层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或碳化硅。

7.如权利要求6所述的形成导电元件的方法，其中该第二宽度和该第一宽度的比例为0.15～0.6。