[发明专利]新型透明OLED显示屏及其制造方法无效
申请号: | 201010534516.6 | 申请日: | 2010-11-05 |
公开(公告)号: | CN102064185A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 柯贤军;蔡晓义;赵云;苏君海;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 曹志霞;李赞坚 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 透明 oled 显示屏 及其 制造 方法 | ||
1.一种新型透明OLED显示屏,包括基板玻璃、设置在基板玻璃上的阳极、有机层、阴极、钝化层、绝缘层,其特征在于,所述阴极包括第一层阴极及第二层阴极,所述第一层阴极至少覆盖整个发光区,所述第二层阴极与第一层阴极连接,并覆盖发光区的边缘和非发光区。
2.根据权利要求1所述的新型透明OLED显示屏,其特征在于,所述第一层阴极的厚度典型值为50A~500A。
3.根据权利要求1所述的新型透明OLED显示屏,其特征在于,所述第一层阴极还覆盖非发光区,所述绝缘层下部设有若干空腔,所述空腔中设有阴极搭接块,处于非发光区的第一层阴极在绝缘层范围内与所述阴极搭接块连接。
4.根据权利要求1所述的新型透明OLED显示屏,其特征在于,所述第二层阴极的厚度典型值为300A~1500A。
5.根据权利要求1所述的新型透明OLED显示屏,其特征在于,处于发光区的第二层阴极,其大小占一个像素大小的1/5~1/14。
6.根据权利要求1所述的新型透明OLED显示屏,其特征在于,所述绝缘层下部设有若干空腔,所述空腔中设有阴极搭接块,处于所述非发光区的第二阴极层在绝缘层范围内与所述阴极搭接块连接。
7.一种新型透明OLED显示屏的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在准备好的基板玻璃上依次制备阳极、有机层、第一层阴极、第二层阴极、钝化层;其中,制备的第一层阴极至少覆盖整个发光区,制备的第二层阴极要覆盖发光区的边缘及非发光区。
8.如权利要求7所述的新型透明OLED显示屏的制作方法,其特征在于,所述第一层阴极的厚度典型值为50A~500A,所述第二层阴极的厚度典型值为300A~1500A。
9.如权利要求7所述的新型透明OLED显示屏的制作方法,其特征在于,处于发光区的第二层阴极,其大小制作为占一个像素大小的1/5~1/14。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的