[发明专利]新型透明OLED显示屏及其制造方法无效
申请号: | 201010534516.6 | 申请日: | 2010-11-05 |
公开(公告)号: | CN102064185A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 柯贤军;蔡晓义;赵云;苏君海;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 曹志霞;李赞坚 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 透明 oled 显示屏 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示屏,尤其涉及一种新型透明OLED显示屏及其制造方法。
背景技术
有机电致发光显示器(简称OLED)是目前新兴的一种平板显示器,因它有主动发光,对比度高,能薄型化,响应速度快等诸多优点,被公认为是下一代显示器的主力军。OLED主要包含一玻璃基板,一透明电极,一有机发光层以及一金属电极。OLED显示器的发光原理是:以透明电极为阳极,以金属电极为阴极,当在两电极之间加上适当的电压,空穴与电子分别由透明电极和金属电极界面注入到有机发光层复合而发光。具有很高透明度的透明OLED可用于平视显示器、透明窗口和广告牌等领域,已经成为研究热潮,这种新型的OLED显示屏将会有广大的市场需求。
如图1所示,传统的透明OLED,是在玻璃衬底上依序制备透明电极、有机层(包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层)、金属阴极和钝化层,封装方式采用UV胶加上干燥剂(非发光区,如图1所示);为了得到很高的透过率,金属阴极做得很薄,而且覆盖到非发光区,金属阴极处于非发光区区域的部分与掏空的绝缘层(如PI层)底下的阴极搭接块连接。传统的透明OLED,仅可以得到约50%~60%的透过率,而且由于金属阴极做得很薄,导致阴极电阻过大以及阴极与底层的阴极搭接块接触不良,使得OLED显示屏显示质量差、可靠性差以及使用寿命短等不足。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术存在的缺陷,提供一种新型透明OLED显示屏,提高透过率及显示质量。
本发明提供的一种新型透明OLED显示屏,包括基板玻璃、设置在基板玻璃上的阳极、有机层、阴极、钝化层、绝缘层,所述阴极包括第一层阴极及第二层阴极,所述第一层阴极至少覆盖整个发光区,所述第二层阴极与第一层阴极连接,并覆盖发光区的边缘和非发光区。
优选地,所述第一层阴极的厚度典型值为50A~500A。
优选地,所述第一层阴极还覆盖非发光区,所述绝缘层下部设有若干空腔,所述空腔中设有阴极搭接块,处于非发光区的第一层阴极在绝缘层范围内与所述阴极搭接块连接。
优选地,所述第二层阴极的厚度典型值为300~1500A。
优选地,处于发光区的第二层阴极,其大小占一个像素大小的1/5~1/14。
优选地,所述绝缘层下部设有若干空腔,所述空腔中设有阴极搭接块,处于所述非发光区的第二阴极层在绝缘层范围内与所述阴极搭接块连接。
本发明提供的一种新型透明OLED显示屏的制作方法,包括如下步骤:
在准备好的基板玻璃上依次制备阳极、有机层、第一层阴极、第二层阴极、钝化层;其中,制备的第一层阴极至少覆盖整个发光区,制备的第二层阴极要覆盖发光区的边缘及非法光区。
优选地,所述第一层阴极的厚度典型值为50A~500A,所述第二层阴极的厚度典型值为300A~1500A。
优选地,处于发光区的第二层阴极,其大小制作为占一个像素大小的1/5~1/14。
与现有技术相比,本发明具有如下优点:
本发明提供的新型透明OLED显示屏,由于阴极采用第一层阴极及第二层阴极的设置方式,因此,第一层阴极可以设置很薄,第二层阴极可以设置的比较厚,第二层阴极仅覆盖有机层的一小部分,因此不会影响发光效果,由于第一层阴极可以做的很薄,因此可以大大提高阴极的透过率,透过率可提高到70%左右,由于第二层阴极可以做的比较厚,因而还可以提高透明OLED显示屏的显示质量和可靠性,延长使用寿命。
附图说明
图1为现有技术中透明OLED显示屏的结构示意图;
图2为本发明实施例一的结构示意图;
图3为图2中基板玻璃上设置阳极、绝缘层后的俯视图;
图4为图2中有机层与阴极及阳极、绝缘层的配合结构图;
图5为本发明实施例二的结构示意图。
图中有关附图标记如下:
1-基板玻璃;2-阳极;3-有机层;31-空穴注入层;32-空穴传输层;
33-有机发光层;34-电子传输层;35-电子注入层;4-阴极;
41-第一层阴极;42-第二层阴极;5-钝化层;6-干燥剂;
7-玻璃后盖;8-UV胶;9-隔离柱;10-绝缘层;11——阴极走线;
12——阴极搭接块。
具体实施方式
本发明的基本构思是,阴极采用第一层阴极及第二层阴极的设置方式,第一层阴极可以做得很薄,第二层阴极设置的比较厚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的