[发明专利]一种清洗装置及清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的清洗技术领域，特别是涉及一种用于清洗晶圆的清洗装置及清洗方法。

背景技术

晶圆在被砂轮划切后，在晶圆的表面和沟槽中不可避免会残留一些切削微粒。这些残留的微粒将使制造出来的器件性能低劣，稳定性和可靠性变差。

划切后晶圆的清洗方式一般采用将划切完的晶圆通过真空吸附在吸片台上，晶圆随着吸片台同步高速旋转，在晶圆上方喷液体，如喷高纯去离子水或其它清洗液，而达到清除残留的微粒的目的。

在实现本发明的过程中，发明人发现随着集成电路的不断发展，芯片的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对应的划切“街区”也越来越窄，允许的砂轮划切槽也越来越窄，因此对划切槽内残余微粒的清洗变得越来越困难，需要通过一种新的清洗方式实现。

发明内容

本发明的实施例提供一种清洗装置及清洗方法，该清洗装置及清洗方法通过将清洗液的粒度变小，解决了现有技术在清洗划切后的晶圆时，无法将划切槽内的残余微粒清洗干净的技术问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种清洗装置，用于清洗晶圆，其中，包括：

晶圆吸片台部，用于吸附晶圆；

喷头部，位于所述晶圆吸片台部的上方，包括：

至少一个第一接收部，用于接收从第一通道输入的清洗液；

至少一个第二接收部，用于接收从第二通道输入的压缩气体；

混合部，用于将所述输入的清洗液和压缩气体相混合后喷出，以清洗所述晶圆吸片台部吸附的晶圆。

优选地，所述的清洗装置，其中，

所述第一接收部包括：

第一减压阀，用于对所述输入的清洗液进行减压处理，所述减压处理后的清洗液输入所述混合部；

所述第二接收部包括：

过滤部，用于对所述输入的压缩气体进行过滤；

第二减压阀，用于对过滤后的压缩气体进行减压处理，所述减压处理后的压缩气体输入所述混合部。

优选地，所述的清洗装置，其中，所述混合部为：二流体喷嘴。

优选地，所述的清洗装置，其中，还包括：

第一驱动部，用于在清洗时，驱动所述晶圆吸片台部旋转；

第二驱动部，用于在清洗时，驱动所述喷头部作往复运动。

优选地，所述的清洗装置，其中，

所述喷头部在所述第二驱动部的驱动下绕预定的中心作往复旋转运动，且所述混合部的运动路径通过所述晶圆吸片台部的旋转中心。

优选地，所述的清洗装置，其中，所述清洗液为去离子水。

另一方面，还提供一种利用本发明实施例的清洗装置清洗晶圆的清洗方法，其中，包括如下步骤：

接收从第一通道输入的清洗液和从第二通道输入的压缩气体；

将所述清洗液和压缩气体混合后喷出，以清洗晶圆吸片台部吸附的晶圆。

优选地，所述的清洗方法，其中，在接收到所述压缩气体之后，混合所述清洗液和压缩气体之前，还包括：

对所述压缩气体过滤；及，

对所述过滤后的气体进行减压处理。

优选地，所述的清洗方法，其中，在接收到所述清洗液之后，混合所述清洗液和压缩气体之前，还包括：

对所述清洗液进行减压处理。

优选地，所述的清洗方法，其中，清洗晶圆吸片台部吸附的晶圆时，晶圆吸片台部旋转，喷头部作往复运动，混合部的运动路径通过晶圆吸片台部的旋转中心。

上述技术方案中具有如下技术效果：

通过将从第二通道输入的压缩气体与从第一通道输入的清洗液相混合，借助压缩空气的作用，使得清洗液在高速流动的压缩气体的作用下，具有更高的喷出速率，变成更小的微粒，这样利用压缩气体就能够更好的清洗划切后的晶圆表面及在晶圆划切槽内的残余微粒。

附图说明

图1为本发明实施例的清洗装置的主视图；

图2为本发明实施例的清洗装置的俯视图；

图3为本发明实施例的装置进行二流体清洗的工作原理示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。