[发明专利]高散热低成本的导线架改良结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种导线架组成结构，尤指一种能明显提高散热功率及降低制造成本的导线架组成结构。

背景技术

请参阅图1至图5所示，一般现有金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET)以雷射二极管完成封装(Laser Diode To Package)的导线架结构概分有三，第一种是将具有双层厚度的铜板以先施予滚压，后施予冲压的方式使其产生具有导线部1及芯片垫片部2两部份，其中芯片垫片部2的厚度大于导线部1的厚度的异形材导线架(如图1所示)，当芯片被焊设于芯片垫片部2的适当位置时，通过芯片垫片部的厚度来达到有效散热的目的，然此种异形材导线架除了所需使用的铜板原料较厚，使原料成本较高外，其两段式制造方式，亦造成加工成本的增加，而形成产业界的困扰；

有鉴于异形材导线架高成本所造成的困扰，业界便研制出仅以单层厚度的铜板单纯用滚压方式制成导线部3与芯片垫片部4为相同厚度的平板材导线架(如图2所示)，以求有效节省原料成本及加工成本，然此种平板材导线架在散热功率上却远低于异形材导线架，间接造成晶体管成品良率大幅下滑；

而为有效解决成本与功效上的问题，便有第三种导线架结构的出现，第三种组合式导线架便是将平板材导线架的导线部3部份予以截取，而供芯片焊设的部份则以铝质散热垫片5替换，并以共晶方式将该铝质散热垫片5与该导线部3的一端相互接合(如图3所示)，有效解决成本上的问题，然而铝质散热垫片在散热功率上仍较铜质为低，对于一些高功率的芯片6而言是无法有效达到散热功能，造成无法普遍使用的缺失；

发明内容

本发明的目的在于提供一种高散热低成本的导线架改良结构，主要利用在铜质导线架上适当位置接合铝质散热垫片，以此降低制造成本、增加散热功率及扩大其适用性。

为实现上述目的，本发明采取了以下技术方案：

一种高散热低成本的导线架改良结构，包含：

至少一个导线架，以单层铜板通过滚压方式形成有导线部及芯片垫片部两大部份，其中，导线部及芯片垫片部的厚度相等；

至少一个散热垫片，接合于导线架的芯片垫片部的适当位置处。

或：一种高散热低成本的导线架改良结构，包含：

至少一个导线架，以单层铜板通过滚压方式形成有导线部及芯片垫片部两大部份，其中，导线部及芯片垫片部的厚度相等；

至少一个散热垫片，接合于导线架的芯片垫片部的适当位置处；

芯片，通过焊料焊设于导线架的芯片垫片部或散热垫片的适当位置上；

连接体，两端分别焊设于芯片及导线部上，以达到芯片与导线部部的电讯连通。

或：一种高散热低成本的导线架改良结构，包含：

至少一个导线架，以单层铜板通过滚压方式形成有导线部及芯片垫片部两大部份，其中，导线部及芯片垫片部的厚度相等；

至少一个散热垫片，接合于导线架的芯片垫片部的适当位置处；

芯片，芯片与芯片焊垫部或散热垫片接合部设有金属镀层于其表面，以利共晶接合，并通过共晶接合方式焊设于导线架的芯片垫片部或散热垫片的适当位置上；

连接体，两端分别焊设于芯片及导线部上，以达到芯片与导线部部的电讯连通。

附图说明

图1为现有异形材导线架的剖面组合示图；

图2为现有平板材导线架的剖面组合示图；

图3为现有组合式导线架的剖面组合示图；

图4为现有平板材导线架与芯片组合封装后的剖面组合示图；

图5为现有另一平板材导线架与芯片组合封装后的剖面组合示图；

图6为本发明组合式导线架的剖面组合示图；

图7为本发明组合式导线架较佳实施例的剖面组合示图；

图8为本发明组合式导线架与芯片组合封装后的剖面示图；

图9为本发明另一组合式导线架与芯片组合封装后的另一实施例示图；

附图标记：1、导线部；2、芯片垫片部；3、导线部；4、芯片垫片部；5、铝质散热垫片；6、芯片；11、导线架；111、导线部；112、芯片垫片部；14、芯片；12、散热垫片；121、接合面；122、粗糙面；13、焊料；14、芯片；15、连接体；151、152、连接体两端；1121、内凹部。

具体实施方式

以下将根据附图和具体实施例将本发明的结构特征及其它的作用、目的详细说明如下：