[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010537188.5 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102082104A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 别宫史浩 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G03F7/00;H01L23/00;H01L23/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在形成有电极焊盘的衬底上，形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有用以曝光所述电极焊盘的开口；
形成感光性树脂膜；
通过使用多等级掩模来曝光所述感光性树脂膜并且将所述感光性树脂膜显影，一次性地形成由所述感光性树脂膜构成的树脂保护膜和由具有的厚度比所述树脂保护膜的厚度大的所述感光性树脂膜构成的树脂核心；以及
从所述树脂核心的上侧到所述电极焊盘的上侧形成互连。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述的形成树脂保护膜和树脂核心中，多个所述树脂核心被形成为彼此分隔开。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述的形成树脂保护膜和树脂核心中，所述树脂核心和所述树脂保护膜被形成为彼此分隔开。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述的形成树脂保护膜和树脂核心中，多个所述树脂核心被线性地布置，所述树脂核心的形成区域中的曝光量被设定为多个级别，并且在所述树脂核心的侧面之中，在所述互连的引出方向上的侧面的倾斜度比在所述树脂核心的对准方向上的侧面的倾斜度缓和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
