[发明专利]用于制造半导体器件的方法

说明书

本申请基于日本专利申请No.2009-255037，其内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法。

背景技术

传统上，在半导体元件上形成树脂保护膜，以保护被切块的半导体芯片免受在它们被拾取时产生的划伤，或者减轻从安装密封树脂施加到由二氧化硅膜或硅氮化物膜形成的保护绝缘膜的热应力。

可以形成通过使用树脂作为核心并且用导电膜涂覆核心表面而构造的树脂核心凸块作为半导体器件的凸电极。

如果采用树脂核心凸块作为需要树脂保护膜的半导体元件的凸电极，则在晶片上形成具有不同目的的两种树脂，即，树脂保护膜和树脂核心。

同样地，在例如日本特开专利公布No.2001-298120中公开了用于形成树脂保护膜和树脂核心的技术。

根据日本特开专利公布No.2001-298120中公开的该技术，在设置有保护膜的硅芯片的保护膜上设置绝缘层，通过掩模来选择性地曝光绝缘层的表面，将该表面显影，对具有所期望图案的绝缘层执行半蚀刻工艺并且形成突起(树脂核心)。在这种情况下，绝缘层中的突起之外的部分对应于树脂保护膜。

然后，通过掩模再次选择性地曝光绝缘层的表面，将该表面显影，去除器件端上的绝缘层，并且曝光器件端。也就是说，在绝缘层中形成通过其曝光器件端的开口。

发明内容

本发明的发明人认识到以下内容。根据日本特开专利公布No.2001-298120中公开的技术，由于曝光和显影中的每个需要执行两次，因此工艺数目多。

同样地，难以以较少数目的工艺来形成树脂核心和树脂保护膜。

在一个实施例中，提供了一种制造半导体器件的方法，其包括：在形成有电极焊盘的衬底上形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有曝光所述电极焊盘的开口；形成感光性树脂膜；通过使用多等级掩模曝光所述感光性树脂膜并且将所述感光性树脂膜显影，一次性地形成树脂保护膜和树脂核心，所述树脂保护膜由所述感光性树脂膜构成，所述树脂核心由具有的厚度比所述树脂保护膜的厚度大的所述感光性树脂膜构成；以及从所述树脂核心的上侧到所述电极焊盘的上侧形成互连。

根据制造半导体器件的方法，可以通过一次曝光和显影形成树脂保护膜和树脂核心，该树脂核心具有的厚度大于树脂保护膜的厚度。因此，工艺数目可以减少。

另外，用于形成树脂保护膜和树脂核心所执行的曝光过程中使用的掩模可以只是一种类型。

另外，由于可以用一次曝光和显影来形成树脂保护膜和树脂核心，因此可以减少化学制品的使用。

此外，由于用一次显影来形成树脂保护膜和树脂核心，因此将需要高准确度和高精确度的树脂核心曝光于显影溶液的次数可以减少，并且可以抑制树脂核心由于膜减少而产生的高度变形。

同样地，可以以较少的工艺数目、以高准确度和高精确度来形成树脂核心和树脂保护膜。

根据本发明，可以以较少数目的工艺来形成树脂核心和树脂保护膜。

附图说明

从以下结合附图的某些优选实施例的描述中，本发明的以上和其他目的、优点和特征将更清楚，其中：

图1A至图1E是示出根据实施例的制造半导体器件的方法中的一系列工艺的横截面图；

图2A和图2B是示出根据实施例的制造半导体器件的方法中的一系列工艺的平面图；

图3A至图3C是示出根据实施例的制造半导体器件的方法中的一系列工艺的平面图；

图4是示出半导体器件的安装实例的横截面图；

图5A和图5B是示出根据第一修改形式的通过用于制造半导体器件的方法制造的半导体器件的示意图；

图6A和图6B是示出根据第二修改形式的通过用于制造半导体器件的方法制造的半导体器件的示意图；

图7A至图7D是示出根据第三修改形式的用于制造半导体器件的方法的示意图；以及

图8A和图8B是示出根据第三修改形式的制造半导体器件的方法中的一系列工艺的平面图。

具体实施方式

以下，将参照附图来说明本发明的实施例。注意的是，在所有附图中，将给任何类似的组件赋予相同的附图标记或符号，因此将不再重复对其的说明。

在平面图中附上阴影线，以便有助于理解本发明的实施例。图1A至图1E是示出根据实施例的制造半导体器件的方法中的一系列工艺的横截面图，图2A至图3C是示出根据实施例的制造半导体器件的方法中的一系列工艺的平面图。图1A至图1E是沿着图2A至图3C中的A-A线截取的横截面图。

在根据实施例制造半导体器件的方法中，顺序地执行以下第一工艺至第四工艺。