[发明专利]集成电路结构与其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

两个金属内连线，位于一半导体基板上；

多个金属盖层，直接形成于每一该些金属内连线上；

多个介电侧壁物，位于每一该些金属内连线的侧壁上，且多个气隙分别位于该些介电侧壁物之间；

多个衬垫间隔物，每一该些衬垫间隔物分别位于每一该些介电侧壁物之上，并横向接触该些金属盖层之一；以及

一介电层，位于该半导体基板上，以覆盖该些金属盖层与该气隙。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该些金属盖层为铜、镍、铂、金、锡银铜合金、锡银合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、磷化钴钨或钌。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该些衬垫间隔物的材质为碳氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该些介电侧壁物的材质包括氧化硅，且该些金属内连线的材质包括铜。

5.一种集成电路结构的形成方法，其特征在于，包括：

进行选择性成长工艺，以形成多个金属盖层分别于多个金属结构上，且该些金属结构形成于一基板上的一介电层中；

沉积一衬垫层于该基板与该些金属盖层上；

干蚀刻该衬垫层与该介电层，以移除大部分的该介电层，同时形成多个衬垫侧壁物分别于每一该些金属盖层的侧壁上以及形成多个介电侧壁物分别于每一该些金属结构的侧壁上，以形成多个气隙分别于相邻的该些介电侧壁物之间；以及

沉积具有低介电常数的低介电材料层于该基板上，以覆盖该些金属盖层与该气隙。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，该选择性成长工艺包括无电电镀工艺。

7.根据权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，该些金属盖层为铜、镍、铂、金、锡银铜合金、锡银合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、磷化钴钨或钌。

8.根据权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，该衬垫层为碳氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述的任意组合。

9.根据权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，还包括在沉积该低介电材料层之前，先沉积一蚀刻停止层于该基板上，以覆盖该些金属盖层与该些气隙。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在沉积该低介电材料层之前，先以一热分解高分子填满该些气隙；以及

在沉积蚀刻停止层后进行一回火工艺，以分解该热分解高分子。