[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

第一导电类型的半导体衬底；

所述第一导电类型的体区，形成于所述半导体衬底内；

第二导电类型的漂移区，在所述半导体衬底内，在与所述半导体衬底的衬底面平行的方向上离开所述体区而形成；

所述第二导电类型的漏极区，形成于所述漂移区内，比该漂移区浓度高；

所述第二导电类型的源极区，形成于所述体区内，比所述漂移区浓度高；

所述第一导电类型的埋入扩散区，其以下述方式形成：与所述体区的底面连结，并且具有从所述体区起在作为所述漂移区与所述体区的离开方向的第一方向上延伸的多个突出部，所述突出部的各前端达到所述漂移区内；

栅极氧化膜，共同重叠于所述体区的一部分及所述漂移区的一部分上而形成；以及

栅电极，形成于所述栅极氧化膜的上层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述半导体衬底内具有所述第二导电类型的阱，

所述体区、所述漂移区和所述埋入扩散区都形成于所述阱内。

3.一种半导体装置，其中，具备：

第一导电类型的半导体衬底；

第二导电类型的阱区，形成于所述半导体衬底内；

所述第一导电类型的体区，形成于所述阱区内；

第二导电类型的漂移区，在所述阱区内，在与所述半导体衬底的衬底面平行的方向上离开所述体区而形成；

所述第二导电类型的漏极区，形成于所述漂移区，比该漂移区浓度高；

所述第二导电类型的源极区，形成于所述体区内，比所述漂移区浓度高；

所述第一导电类型的埋入扩散区，其以下述方式形成：与所述体区的底面连结，并且具有从所述体区起在作为所述漂移区与所述体区的离开方向的第一方向上延伸的多个突出部，所述突出部的各前端达到所述漂移区的下方位置；

栅极氧化膜，共同重叠于所述体区的一部分及所述漂移区的一部分上而形成；以及

栅电极，形成于所述栅极氧化膜的上层。

4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述阱区比所述漂移区浓度低。

5.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述埋入扩散区由与所述体区的一部分底面离散性连结的多个部分构成，所述各部分通过在所述第一方向延伸，从而构成形成所述多个突出部的长方形形状。

6.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述埋入扩散区构成梳形形状，该梳形形状是与所述体区的整个底面连结而且具有从所述体区起在所述第一方向上延伸的多个突出部。

7.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述埋入扩散区的所述多个突出部在与所述半导体衬底面平行的方向、即与所述第一方向正交的第二方向具有等间隔的狭缝宽度而形成，

所述狭缝宽度设定为存在于下层形成有所述栅极氧化膜的位置的所述栅电极与所述漏极区的所述第一方向的离开距离的1/2倍以下。

8.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述埋入扩散区的所述多个突出部以在与所述半导体衬底面平行的方向、即与所述第一方向正交的第二方向具有等间隔的狭缝宽度离开的状态形成，

所述狭缝宽度设定为所述埋入扩散区的所述多个突出部的所述第二方向的宽度以下。

9.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述漂移区具有浓度梯度而形成，该浓度梯度是从存在于下层形成有所述栅极氧化膜的位置的所述栅电极的所述漏极区侧的端部即栅极边缘的下方位置朝向所述漏极区、杂质浓度变为高浓度的浓度梯度。

10.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述埋入扩散区从所述体区的底面越靠近所述漏极区，向与所述半导体衬底面平行的方向、即与所述第一方向正交的第二方向越扩展地形成。

11.如权利要求1或3所述的半导体装置，其中，

所述埋入扩散区在距所述半导体衬底的衬底面1.5μm以上的深度位置形成。